[發明專利]一種晶圓裝載方法有效
| 申請號: | 201210379381.X | 申請日: | 2012-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN103715121A | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發明(設計)人: | 章安娜;弓磊;盧青;李曉明;周琦涵 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 常亮 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 裝載 方法 | ||
1.一種晶圓裝載方法,其特征在于,包括步驟:
根據圓片支架型號,設定機械手的取片參數,該參數包括機械手的上升行程和上升速度,其中上升行程大于圓片支架中相鄰晶圓間距的一半;
以所述取片參數運行控制機械手,將晶圓片從晶圓支架轉移到靜電吸盤上;
開啟吸附電壓,將功率調升至1500w-1900w,使晶圓片固定于靜電吸盤之上;
以上述功率對晶圓片吸附750s之后,對該晶圓片實施半導體加工工藝;
待上述半導體加工工藝結束后,控制靜電吸盤進行放電,以消除對晶圓的吸附力;
取出晶圓片。
2.如權利要求1所述的晶圓裝載方法,其特征在于:所述機械手的上升行程不超過上下晶圓間距的3/4。
3.如權利要求1所述的晶圓裝載方法,其特征在于:所述機械手的上升速度為1cm/s。
4.如權利要求1所述的晶圓裝載方法,其特征在于:所述靜電吸盤的功率為1800w。
5.如權利要求1所述的晶圓裝載方法,其特征在于:進一步可以包括對晶圓背面通入冷卻He的步驟。
6.如權利要求5所述的晶圓裝載方法,其特征在于:所述He的氣壓為1.2毫巴。
7.如權利要求1所述的晶圓裝載方法,其特征在于:所述放電時間大于60秒。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





