[發明專利]閃存的制作方法

有效

• 申請號: 201210378841.7
• 申請日: 2012-10-09
• 公開（公告）號: CN103715146A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 倪志榮;楊長亮
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種閃存的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上形成有圖案化掩模層，且所述襯底中形成有隔離結構，其中所述隔離結構的頂面與所述圖案化掩模層的頂面共平面；

進行刻蝕工藝，所述刻蝕工藝包括：

移除部分所述圖案化掩模層；以及

移除鄰近所述圖案化掩模層的角落處的部分所述隔離結構，以使所述隔離結構的頂部部分的寬度小于底部部分的寬度；

重復所述刻蝕工藝至少一次；

移除所述圖案化掩模層；

在所述襯底上形成第一介電層；

在所述第一介電層上形成第一導體層；

移除部分所述第一導體層及部分所述隔離結構；

在所述第一導體層與所述隔離結構上形成第二介電層；以及

在所述第二介電層上形成第二導體層。

2.根據權利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，所述第一導體層的形成方法包括：

在所述襯底上形成導體材料層，所述導體材料層覆蓋所述隔離結構；以及

進行平坦化工藝，移除部分所述導體材料層以及移除所述隔離結構的所述頂部部分。

3.根據權利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，移除部分所述圖案化掩模層的方法包括使用熱磷酸進行濕法刻蝕。

4.根據權利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，在所述刻蝕工藝中所述圖案化掩模層被移除的厚度介于至之間。

5.根據權利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，移除鄰近所述圖案化掩模層的角落處的部分所述隔離結構的方法包括使用稀釋的氫氟酸進行濕法刻蝕。

6.根據權利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，在所述刻蝕工藝中所述隔離結構被移除的厚度介于至之間。

7.根據權利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，所述隔離結構的形成方法包括：

以所述圖案化掩模層為掩模，移除部分所述襯底，以形成溝道；

在所述襯底上形成隔離材料層，并填滿所述溝道；以及

進行平坦化工藝，移除所述溝道外的所述隔離材料層。

8.根據權利要求7所述的閃存的制作方法，其特征在于，在進行所述平坦化工藝之后以及在進行所述刻蝕工藝之前，還包括移除部分所述隔離結構。

9.根據權利要求1所述的閃存的制作方法，其特征在于，在移除所述圖案化掩模層之后以及在形成所述第一介電層之前，還包括：

進行氧化工藝，以在所述襯底上形成犧牲氧化層；以及

移除所述犧牲氧化層。

10.根據權利要求9所述的閃存的制作方法，其特征在于，移除所述犧牲氧化層的方法包括使用稀釋的氫氟酸進行濕法刻蝕。