[發明專利]NOR快閃存儲器的形成方法

在審

• 申請號: 201210378745.2
• 申請日: 2012-09-29
• 公開（公告）號: CN103715145A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 李紹彬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L21/265
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，包括:

提供襯底，所述襯底上形成有若干存儲單元，所述存儲單元之間通過隔離結構進行隔離，其中，每個存儲單元包括相鄰的兩個柵極結構、位于兩個柵極結構之間襯底內的源極以及分別位于兩個柵極結構另一側襯底內的漏極；

去除各存儲單元源極之間的隔離結構，形成若干凹槽；

對所述凹槽的底部和側壁進行第一離子注入，所述第一離子注入的方向與襯底上表面垂直；

對所述凹槽的側壁進行第二離子注入，所述第二離子注入的方向與襯底上表面的法線呈預定夾角。

2.如權利要求1所述的NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述預定夾角為5°～35°。

3.如權利要求1所述的NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的離子的導電類型為N型。

4.如權利要求3所述的NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述第一離子注入的離子為砷離子，所述第一離子注入能量為10KeV～30KeV，劑量為1×10¹⁴cm^-2～5×10¹⁵cm^-2。

5.如權利要求1所述的NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述第二離子注入分2步完成，包括：

沿與襯底上表面的法線呈預定夾角方向對源極一側的凹槽側壁進行第二離子注入；

將所述襯底沿水平方向旋轉180°，并沿與襯底上表面的法線呈預定夾角方向對源極另一側的凹槽側壁進行第二離子注入。

6.如權利要求1所述的NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述第二離子注入的離子的導電類型為N型。

7.如權利要求6所述的NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述第二離子注入的離子為砷離子，所述第二離子注入的能量為10KeV～50KeV，劑量為1×10¹⁴cm^-2～9×10¹⁵cm^-2。

8.如權利要求1所述的NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，在形成若干凹槽之后，還包括：對所述凹槽的底部和側壁進行第三離子注入。

9.如權利要求8所述的NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述第三離子注入的方向與襯底上表面垂直。

10.如權利要求8所述的NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述第三離子注入的離子的導電類型為P型。

11.如權利要求10所述的NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述第三離子注入的離子為硼離子，所述第三離子注入的能量為20KeV～50KeV，劑量為1×10¹³cm^-2～9×10¹⁴cm^-2。

12.如權利要求1所述的NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，所述襯底的導電類型為P型。

13.如權利要求1所述的NOR快閃存儲器的形成方法，其特征在于，在所述第一離子注入或/和第二離子注入之后，還包括：進行退火處理。