[發明專利]分立柵存儲器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201210378507.1
• 申請日: 2012-09-29
• 公開（公告）號: CN103715144A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 李勇
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/8247
• 分類號: H01L21/8247;H01L27/115
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供襯底，所述襯底上依次形成有第一介質層、浮柵層、第二介質層及控制柵層；

刻蝕所述控制柵層和第二介質層形成控制柵結構，相鄰兩個控制柵結構之間的區域為擦除柵區，相鄰兩個控制柵結構與所述擦除柵區相對的一側為字線區；

在所述控制柵結構周圍形成第一側墻；

形成第一側墻后，去除位于字線區上的浮柵層；

去除位于字線區上的浮柵層后，在第一側墻周圍形成第二側墻；

在所述第二側墻周圍形成犧牲側墻；

形成犧牲側墻后，去除位于擦除柵區的浮柵層，形成浮柵；

去除位于擦除柵區的所述犧牲側墻，暴露出犧牲側墻覆蓋的浮柵部分；

形成隧穿介質層，覆蓋暴露出的浮柵部分、擦除柵區的襯底、相鄰兩控制柵結構之間的第二側墻，所述隧穿介質層的厚度小于犧牲側墻的厚度；

在字線區形成字線，在擦除柵區形成擦除柵。

2.根據權利要求1所述分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，所述浮柵層和所述控制柵層的材料都為多晶硅。

3.根據權利要求1所述分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，第一側墻包括氧化硅層和形成于所述氧化硅層上的氮化硅層。

4.根據權利要求1所述分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，第二側墻包括氧化硅層和形成于所述氧化硅層上的氮化硅層。

5.根據權利要求1所述分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，所述犧牲側墻的材料為氧化硅或者聚合物。

6.根據權利要求1所述分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，去除所述犧牲側墻后，還包括步驟：去除擦除柵區的第二側墻。

7.根據權利要求1所述分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，形成第一側墻后，去除位于字線區上的浮柵層之前還包括步驟：以所述第一側墻為掩膜，對所述字線區的襯底進行離子注入，以進行字線區的閾值電壓的調節。

8.根據權利要求1所述分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，形成所述隧穿介質層后，在字線區形成字線之前，還包括步驟：去除位于所述字線區的第一介質層。

9.根據權利要求8所述分立柵存儲器件的形成方法，其特征在于，去除位于所述字線區的第一介質層后，還包括在所述字線區的襯底上形成字線介質層。

10.一種分立柵存儲器件，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的浮柵結構，位于所述浮柵結構上的控制柵結構和第一側墻，所述第一側墻位于所述控制柵結構周圍；相鄰兩個控制柵結構之間的區域為擦除柵區；相鄰兩個控制柵結構與所述擦除柵區相對的一側為字線區；所述浮柵結構包括浮柵介質層和位于浮柵介質層上的浮柵，所述控制柵結構包括控制柵介質層和位于控制柵介質層上的控制柵；

所述浮柵結構和所述第一側墻周圍具有第二側墻，在擦除柵區一側所述浮柵結構具有突出第二側墻的凸臺；

隧穿介質層，覆蓋所述凸臺、擦除柵區的襯底、相鄰兩控制柵結構之間的第二側墻，所述遂穿介質層的厚度小于凸臺的寬度；

位于所述字線區上的字線介質層及位于所述字線介質層上的字線；

位于所述擦除柵區上的覆蓋所述遂穿介質層的擦除柵。

11.如權利要求10所述的分立柵存儲器件，其特征在于，所述第一側墻包括氧化硅層和形成于所述氧化硅層上的氮化硅層。

12.如權利要求10所述的分立柵存儲器件，其特征在于，所述第二側墻包括氧化硅層和形成于所述氧化硅層上的氮化硅層。