[發(fā)明專利]集成電路連接器存取區(qū)域及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210378242.5
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN103715174A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳士弘
• 申請（專利權(quán)）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021
• 代理人: 任巖

1.一種集成電路裝置的連接器存取區(qū)域，包括：

一組平行導(dǎo)體，朝一第一方向延伸；

該組平行導(dǎo)體包括一組位于不同導(dǎo)體上的導(dǎo)電接觸區(qū)域，該組導(dǎo)電接觸區(qū)域定義一接觸平面，該組平行導(dǎo)體延伸在該接觸平面下方；

該組導(dǎo)電接觸區(qū)域定義一條與該第一方向夾出一斜角的線；

多個層間連接器，與該組導(dǎo)電接觸區(qū)域電性接觸，該多個層間連接器延伸在該接觸平面上方；

該多個層間連接器的至少某些伏(overlying)在鄰接于該組導(dǎo)電接觸區(qū)域的該組平行導(dǎo)體上，但與鄰接于該組導(dǎo)電接觸區(qū)域的該組平行導(dǎo)體電性地隔離，該多個層間連接器是與該組導(dǎo)電接觸區(qū)域電性接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接器存取區(qū)域，其中該組平行導(dǎo)體包括一組導(dǎo)電層，而該接觸平面垂直于該組導(dǎo)電層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的連接器存取區(qū)域，其中：

該組導(dǎo)電層具有多個與該接觸平面對準的上部邊緣；且

一電性絕緣材料覆蓋除了該組導(dǎo)電接觸區(qū)域以外的該多個上部邊緣。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的連接器存取區(qū)域，其中：

該組導(dǎo)電層具有多個階梯狀的上部邊緣，該多個階梯狀的上部邊緣包括該組導(dǎo)電接觸區(qū)域及多個在該接觸平面下方的隔開的凹槽區(qū)域；及

一電性絕緣材料覆蓋該多個凹槽區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接器存取區(qū)域，其中該斜角小于45°。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接器存取區(qū)域，其中該斜角為5°至27°。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接器存取區(qū)域，其中該多個層間連接器的至少某些是被配置成垂直于該接觸平面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接器存取區(qū)域，其中該多個層間連接器的該至少某些是被配置成平行于該接觸平面。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接器存取區(qū)域，其中該組導(dǎo)電接觸區(qū)域在沿著該第一方向的長度比沿著一個垂直于該第一方向及平行于該接觸平面的橫向的長度來得長。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接器存取區(qū)域，其中該組導(dǎo)電接觸區(qū)域具有平行四邊形形狀。

11.一種與一集成電路裝置一起使用的方法，該集成電路裝置包括一連接器存取區(qū)域，而該連接器存取區(qū)域包括朝一第一方向延伸的一組平行導(dǎo)體，該方法用以建立多個與該組平行導(dǎo)體電性接觸的層間連接器，該方法包括：

形成一組導(dǎo)電接觸區(qū)域于該組平行導(dǎo)體的不同導(dǎo)體上，該組導(dǎo)電接觸區(qū)域定義一接觸平面，該組平行導(dǎo)體延伸在該接觸平面下方；

該形成步驟包括沿著一條與該第一方向夾出一斜角的線來為該組導(dǎo)電接觸區(qū)域定方位；

建立多個與該組導(dǎo)電接觸區(qū)域電性接觸的層間連接器，該多個層間連接器延伸在該接觸平面上方；

該多個層間連接器的至少某些伏在鄰接于該組導(dǎo)電接觸區(qū)域的多個導(dǎo)體上面，該多個層間連接器是與該組導(dǎo)電接觸區(qū)域電性接觸，然而，該多個層間連接器的該至少某些與該多個鄰近的導(dǎo)體亦電性地隔離。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該形成步驟更包括：

沿著該線遮蔽該連接器存取區(qū)域的一部分；及

刻蝕未被遮蔽的該組平行導(dǎo)體的那些部分。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該形成步驟更包括：

沿著該線遮蔽該連接器存取區(qū)域的一部分；及

氧化未被遮蔽的該組平行導(dǎo)體的那些部分。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該形成步驟包括沿著一條與該第一方向夾出一個小于45°的斜角的線來為該組接觸區(qū)域定方位。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該形成步驟包括沿著一條與該第一方向夾出一個5°至27°的斜角的線來為該組接觸區(qū)域定方位。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該形成步驟是被實現(xiàn)以構(gòu)建多個具有平行四邊形形狀的導(dǎo)電接觸區(qū)域。

17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中該形成步驟是被實現(xiàn)以構(gòu)建多個接觸區(qū)域，其沿著該第一方向的長度比沿著一個垂直于該第一方向及平行于該接觸平面的橫向的長度來得長。