[發明專利]一種關鍵尺寸測試的校正裝置和方法有效
| 申請號: | 201210378201.6 | 申請日: | 2012-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN103713471A | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發明(設計)人: | 黃寅虎;劉同軍;白明基 | 申請(專利權)人: | 合肥京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;G03F1/44 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270 | 代理人: | 張穎玲;張振偉 |
| 地址: | 230011 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 關鍵 尺寸 測試 校正 裝置 方法 | ||
1.一種關鍵尺寸測試的校正裝置,其特征在于,該裝置包括掩膜板Mask,所述掩膜板Mask設置有至少一組標記Mark,所述至少一組標記Mark用于在經過刻蝕工藝后在基板上形成能夠獲知關鍵尺寸DICD的實際值的圖形。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述Mark至少由一個Mark單元組成,所述Mark單元包括至少兩個彼此具有距離關系的Mark次單元。
3.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述距離關系包括:交疊或間隔一距離。
4.根據權利要求3所述的裝置,其特征在于,所述Mark次單元為長方形或者正方形結構。
5.根據權利要求4所述的裝置,其特征在于,所述Mark次單元為長方形時,所述Mark次單元的排列方式為:沿長方形長邊方向水平排列,或沿長方形長邊方向豎直排列。
6.根據權利要求2至5任一項所述的裝置,其特征在于,當所述一組Mark中包括多個Mark單元時,各Mark單元排布在一條直線上或不在一條直線上。
7.根據權利要求6所述的裝置,其特征在于,
當一組Mark中的各Mark單元排布在一條直線上時,任意相鄰兩個Mark單元之間的距離相同或不同,且各所述Mark單元所包括的所述Mark次單元之間的距離具有數值排列規律或具有不規律的數值排列規律;
當一組Mark中的各Mark單元排布不在一條直線上時,各Mark單元均勻分布或不均勻分布;各所述Mark單元所包括的所述Mark次單元之間的距離具有數值排列規律或具有不規律的數值排列規律。
8.根據權利要求7所述的裝置,其特征在于,
所述數值排列規律包括:等差遞增或等差遞減;
所述均勻分布包括涵蓋中心對稱或軸對稱的對稱分布。
9.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,在所述至少一組Mark中,Mark單元以Mask關鍵尺寸CD為5~30μm為基準。
10.一種關鍵尺寸測試的校正方法,其特征在于,該方法包括:
在Mask上設置至少一組Mark,利用所述Mask進行刻蝕工藝后在基板上形成的圖形獲知DICD的實際值,據此校正CD測試結果。
11.根據權利要求10所述的方法,其特征在于,
所述Mark由Mark單元組成,所述Mark單元包括至少兩個彼此具有距離關系的Mark次單元;
所述獲知DICD的實際值,據此校正CD測試結果的過程包括:由微觀圖像獲取設備獲取利用所述Mask經過刻蝕工藝之后所形成的圖形,根據其中的Mark次單元由交疊或間隔一距離變為恰好咬合的情況獲知DICD的實際值,將該值與測試設備檢測到的DICD值進行比較,根據比較所得的差值校正CD測試結果。
12.根據權利要求10或11所述的方法,其特征在于,
所述Mask上設置有多組Mark時,所述DICD的實際值是針對利用所述Mask在基板上形成的各組Mark所獲知的DICD實際值求平均所得的值。
13.根據權利要求11所述的方法,其特征在于,所述方法應用于光刻工藝中。
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