[發明專利]形成半導體器件的連接突塊的方法

無效

• 申請號: 201210377594.9
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN103035543A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 趙文祺;林桓植;樸善姬
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

1.一種形成半導體器件的連接突塊的方法，所述方法包括：

制備半導體襯底，在所述半導體襯底上通過鈍化膜部分地暴露出焊盤；

在所述焊盤和所述鈍化膜上形成種子層；

形成包括開口圖案的光致抗蝕劑圖案，所述開口圖案包括：

暴露出所述焊盤上的種子層的一部分的第一開口；以及

暴露出所述鈍化膜上的種子層的一部分并且與所述第一開口分開的第二開口；

施行第一電鍍，以便在所述開口圖案中形成填充物層；

施行第二電鍍，以便在所述填充物層上形成焊料層；

去除所述光致抗蝕劑圖案；以及

施行回流工藝，以便形成塌陷焊料層和焊料突塊，該塌陷焊料層將所述填充物層彼此電連接，并且該焊料突塊位于形成在所述第二開口中的填充物層上。

2.權利要求1的方法，其中，施行回流工藝包括：通過溶解形成在所述第一開口中的填充物層上的焊料層的一部分而形成所述塌陷焊料層。

3.權利要求1的方法，其還包括：在施行回流工藝之后，去除被所述填充物層和所述塌陷焊料層暴露出的種子層的一部分。

4.權利要求1的方法，其中，所述第一開口的最窄寬度小于所述第二開口的最窄寬度，從而通過溶解形成在所述第一開口中的填充物層上的焊料層的一部分而形成所述塌陷焊料層，并且由形成在所述第二開口中的填充物層上的焊料層來形成所述焊料突塊。

5.權利要求1的方法，其中，所述開口圖案還包括處于所述第一開口與所述第二開口之間的至少一個中間開口，所述至少一個中間開口與所述第一開口和所述第二開口分開。

6.權利要求5的方法，其中，所述第一開口和所述至少一個中間開口的剖面具有相同的形狀，并且所述第一開口和所述至少一個中間開口在朝向所述第二開口的方向上被重復布置。

7.權利要求5的方法，其中，施行回流工藝包括：通過溶解形成在所述第一開口和所述中間開口中的填充物層上的焊料層的一部分而形成所述塌陷焊料層。

8.權利要求7的方法，其中，施行回流工藝包括：通過溶解形成在所述第一開口和所述中間開口中的填充物層上的焊料層的一部分而形成所述塌陷焊料層，從而使得所述塌陷焊料層與形成在所述第二開口中的填充物層接觸。

9.權利要求1的方法，其中，形成所述光致抗蝕劑圖案還包括：形成對應于與所述開口圖案分開并且暴露出所述鈍化膜上的種子層的一部分的虛設開口的光致抗蝕劑圖案，

施行第一電鍍包括：在所述虛設開口中形成虛設填充物層，并且

施行第二電鍍包括：在所述虛設填充物層上形成虛設焊料層。

10.權利要求9的方法，其中，施行回流工藝包括：在所述虛設填充物層上形成虛設焊料突塊。

11.權利要求10的方法，其中，施行回流工藝包括：在所述半導體襯底上的相同水平處形成所述焊料突塊和所述虛設焊料突塊的最上表面。

12.權利要求10的方法，其中，施行回流工藝包括：在所述半導體襯底上的低于所述焊料突塊的最上表面的某一水平處形成所述塌陷焊料層的最上表面。

13.權利要求10的方法，其還包括：

在施行回流工藝之后去除被所述填充物層和所述塌陷焊料層暴露出的種子層部分，從而使得所述填充物層、所述焊料突塊和所述塌陷焊料層分別與所述虛設填充物層和所述虛設焊料突塊電絕緣。

14.一種形成半導體器件的連接突塊的方法，所述方法包括：

制備半導體襯底，在所述半導體襯底上通過鈍化膜部分地暴露出焊盤；

形成彼此分開的填充物層，每一個填充物層包括：

所述鈍化膜上的突塊填充物圖案，

用以與所述焊盤部分地重疊的焊盤上的連接填充物圖案，以及

所述突塊填充物圖案與所述連接填充物圖案之間的至少一個中間填充物圖案；

在所述填充物層上形成焊料層；以及

通過溶解形成在所述連接填充物圖案和所述中間填充物圖案上的焊料層而形成把所述焊盤電連接到所述突塊填充物圖案的塌陷焊料層。