[發(fā)明專(zhuān)利]跡線(xiàn)上凸塊封裝結(jié)構(gòu)及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210377454.1
• 申請(qǐng)日: 2012-10-08
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103545278A
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳孟澤;林威宏;林志偉;黃貴偉;黃暉閔;鄭明達(dá);劉重希
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/488
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;孫征

1.一種器件，包括：

第一封裝部件；

第一金屬跡線(xiàn)和第二金屬跡線(xiàn)，位于所述第一封裝部件的頂面上；

介電掩模層，覆蓋所述第一封裝部件的頂面、所述第一金屬跡線(xiàn)和所述第二金屬跡線(xiàn)，其中，在所述介電掩模層中具有暴露所述第一金屬跡線(xiàn)但不暴露所述第二金屬跡線(xiàn)的開(kāi)口；

第二封裝部件；以及

互連件，形成在所述第二封裝部件上，所述互連件具有金屬凸塊和形成在所述金屬凸塊上的焊料凸塊，其中所述焊料凸塊接觸位于所述介電掩模層的開(kāi)口中的所述第一金屬跡線(xiàn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一封裝部件包括封裝襯底，所述第二封裝部件包括器件管芯。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第一金屬跡線(xiàn)和所述第二金屬跡線(xiàn)包含選自由銅、銅合金、鋁、鋁合金、鎢、鎢合金、鎳、鎳合金、鈀、鈀合金、金、以及它們的合金所組成的組中的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述第二金屬跡線(xiàn)鄰近所述第一金屬跡線(xiàn)和/或所述第二金屬跡線(xiàn)基本平行于所述第一金屬跡線(xiàn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述介電掩模層包括焊接掩模層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述金屬凸塊包括銅柱凸塊。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括：位于所述第一封裝部件和所述第二封裝部件之間的間隙中的底部填料。

8.一種跡線(xiàn)上凸塊封裝結(jié)構(gòu)，包括：

第一封裝部件；

第一金屬跡線(xiàn)和第二金屬跡線(xiàn)，形成在所述第一封裝部件的頂面上；

焊接掩模層，覆蓋所述第一封裝部件的頂面、所述第一金屬跡線(xiàn)和所述第二金屬跡線(xiàn)，其中，在所述焊接掩模層中具有暴露所述第一金屬跡線(xiàn)的開(kāi)口；以及

第二封裝部件，設(shè)置在所述第一封裝部件的上方，其中，所述第二封裝部件包括具有銅柱凸塊和接合到所述銅柱凸塊的焊料凸塊的互連件，所述焊料凸塊接觸位于所述介電掩模層的開(kāi)口中的所述第一金屬跡線(xiàn)但不接觸所述第二金屬跡線(xiàn)。

9.一種制造器件的方法，包括：

提供第一封裝部件，所述第一封裝部件具有在所述第一封裝部件的表面上形成的第一金屬跡線(xiàn)和第二金屬跡線(xiàn)；

形成焊接掩模層以覆蓋所述第一封裝部件的頂面、所述第一金屬跡線(xiàn)和所述第二金屬跡線(xiàn)；

在所述焊接掩模層中形成暴露所述第一金屬跡線(xiàn)的開(kāi)口；

提供設(shè)置在所述第一封裝部件上方的第二封裝部件，其中，所述第二封裝部件包括具有金屬凸塊和接合到所述金屬凸塊的焊料凸塊的互連件；以及

使所述焊料凸塊接觸位于所述焊接掩模層的開(kāi)口中的所述第一金屬跡線(xiàn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，使所述焊料凸塊接觸所述第一金屬跡線(xiàn)包括熔化所述焊料凸塊以形成接觸所述第一金屬跡線(xiàn)的焊料，所述焊接掩模層將所述焊料限制在所述開(kāi)口中，并且所述開(kāi)口限定熔化的所述焊料在所述第一金屬跡線(xiàn)處的輪廓。