[發(fā)明專利]熱輔助磁記錄系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210377035.8
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN103198839B
• 公開（公告）日: 2017-09-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: R·S·威爾森;J·S·高登博格
• 申請（專利權(quán)）人: 安華高科技通用IP(新加坡)公司
• 主分類號: G11B5/02
• 分類號: G11B5/02;G11B5/58
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 王田

1.一種用于熱輔助磁記錄的裝置，包括：

信號產(chǎn)生器，能操作來利用用來鐘控磁寫入數(shù)據(jù)信號的相同的時鐘信號產(chǎn)生激光觸發(fā)脈沖信號；

可變延遲元件，能操作來控制所述激光觸發(fā)脈沖信號和所述磁寫入數(shù)據(jù)信號之間的對準(zhǔn)；

相位差檢測器，能操作來控制所述可變延遲元件；

可觸發(fā)脈沖產(chǎn)生器電路，能操作來基于所述激光觸發(fā)脈沖信號產(chǎn)生激光脈沖控制信號；

激光驅(qū)動器，其可操作以將所述激光脈沖控制信號放大到一可編程幅度；

磁寫頭，能操作來在所述磁寫入數(shù)據(jù)信號的控制下將數(shù)據(jù)記錄到磁存儲介質(zhì)；以及

激光二極管，能操作來在經(jīng)放大的所述激光脈沖控制信號的控制下加熱所述磁存儲介質(zhì)。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述信號產(chǎn)生器位于寫通道電路中，并且其中所述可觸發(fā)脈沖產(chǎn)生器電路位于前置放大器中。

3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述激光觸發(fā)脈沖信號跨柔性傳輸線在所述寫通道電路和所述前置放大器之間傳送。

4.如權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述激光觸發(fā)脈沖信號跨所述柔性傳輸線與磁讀取數(shù)據(jù)信號復(fù)用。

5.如權(quán)利要求2所述的裝置，其中以所述磁寫入數(shù)據(jù)信號的轉(zhuǎn)換速率產(chǎn)生所述激光觸發(fā)脈沖信號。

6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述可觸發(fā)脈沖產(chǎn)生器電路在所述激光觸發(fā)脈沖信號的每一邊沿處產(chǎn)生脈沖。

7.如權(quán)利要求5所述的裝置，其中所述可觸發(fā)脈沖產(chǎn)生器電路能操作來可編程地調(diào)節(jié)所述激光脈沖控制信號的脈沖寬度。

8.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括激光預(yù)補償電路，其能操作來對所述激光脈沖控制信號應(yīng)用預(yù)補償偏移。

9.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述可變延遲元件能操作來對所述磁寫入數(shù)據(jù)信號應(yīng)用延遲。

10.如權(quán)利要求8所述的裝置，還包括磁預(yù)補償電路，其能操作來對所述磁寫入數(shù)據(jù)信號應(yīng)用預(yù)補償偏移。

11.如權(quán)利要求8所述的裝置，其中所述可變延遲元件能操作來補償所述激光脈沖控制信號和所述磁寫入數(shù)據(jù)信號之間的相位差。

12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述可變延遲元件能操作來跨比所述磁寫入數(shù)據(jù)信號的比特周期大的范圍補償相位差。

13.如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括串行化器，其能操作來轉(zhuǎn)換并行寫入數(shù)據(jù)信號來產(chǎn)生串行形式的所述磁寫入數(shù)據(jù)信號。

14.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置被實現(xiàn)為集成電路。

15.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置被并入在存儲裝置中。

16.如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述裝置被并入在存儲系統(tǒng)中，所述存儲系統(tǒng)包括獨立盤冗余陣列。

17.一種用于熱輔助磁記錄的方法，包括：

在寫通道中產(chǎn)生激光觸發(fā)脈沖；

將所述激光觸發(fā)脈沖發(fā)送到前置放大器；

在所述前置放大器中基于所述激光觸發(fā)脈沖產(chǎn)生激光脈沖控制信號，其中所述激光脈沖控制信號包括在所述激光觸發(fā)脈沖的每一邊沿處的脈沖；

將所述激光脈沖控制信號放大到一可編程幅度；

調(diào)節(jié)經(jīng)放大的所述激光脈沖控制信號與磁寫入數(shù)據(jù)信號的時間對準(zhǔn)；以及

利用經(jīng)放大的所述激光脈沖控制信號控制激光二極管以在將所述磁寫入數(shù)據(jù)信號寫入到磁存儲介質(zhì)的同時加熱所述磁存儲介質(zhì)。

18.如權(quán)利要求17所述的方法，還包括：

對所述激光脈沖控制信號計算激光脈沖預(yù)補償；

對所述磁寫入數(shù)據(jù)信號應(yīng)用延遲；以及

對所述磁寫入數(shù)據(jù)信號計算磁寫入預(yù)補償，其中調(diào)節(jié)時間對準(zhǔn)能操作來維持所述激光脈沖控制信號中的脈沖和所述磁寫入數(shù)據(jù)信號中的相應(yīng)的數(shù)據(jù)比特之間的相關(guān)性。

19.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述激光觸發(fā)脈沖包括所述磁寫入數(shù)據(jù)信號，并且其中利用邊沿敏感的相位檢測器產(chǎn)生所述激光脈沖控制信號。