[發明專利]發光二極管封裝件及其制造方法

在審

• 申請號: 201210376512.9
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN103035825A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 金澖亨
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L33/54
• 分類號: H01L33/54;H01L33/56;H01L33/58
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

1.一種發光二極管封裝件，包括：

封裝件主體；

安裝在所述封裝件主體上的發光二極管芯片；

疏水圖案，其與所述發光二極管芯片隔開地形成在所述封裝件主體上；以及

密封所述發光二極管芯片的樹脂單元，其中所述樹脂單元由所述疏水圖案限定。

2.權利要求1所述的發光二極管封裝件，其中所述疏水圖案包括多個納米結構。

3.權利要求1所述的發光二極管封裝件，其中所述疏水圖案包括：

形成在所述封裝件主體上的種子層圖案；以及

從所述種子層圖案生長的多個納米結構。

4.權利要求1所述的發光二極管封裝件，其中所述樹脂單元包括熒光劑。

5.權利要求1所述的發光二極管封裝件，其中所述樹脂單元相對于所述封裝件主體具有90°或更大的接觸角。

6.權利要求1所述的發光二極管封裝件，其中所述疏水圖案包括圓形、三角形、四邊形和它們的任意組合。

7.權利要求1所述的發光二極管封裝件，其中所述疏水圖案包括以相同方式形成的至少兩個被隔開的圖案。

8.權利要求1所述的發光二極管封裝件，還包括密封所述樹脂單元的透鏡，其中所述透鏡由所述疏水圖案限定。

9.權利要求8所述的發光二極管封裝件，其中所述透鏡相對于所述封裝件主體具有90°或更大的接觸角。

10.權利要求1所述的發光二極管封裝件，其中所述疏水圖案受到O₂等離子體或H₂等離子體處理，或者被氟碳化。

11.權利要求2所述的發光二極管封裝件，其中所述納米結構由氧化鋅基化合物制成。

12.權利要求3所述的發光二極管封裝件，其中所述種子層圖案由金、銅或它們的合金制成。

13.權利要求3所述的發光二極管封裝件，其中所述種子層圖案由氧化鋅制成。

14.權利要求3所述的發光二極管封裝件，其中所述種子層圖案具有交替地層疊金和銅的多層結構。

15.一種發光二極管封裝件，包括：

封裝件主體；

安裝在所述封裝件主體上的發光二極管芯片；

親水圖案，其與所述發光二極管芯片隔開地形成在所述封裝件主體上；以及

密封所述發光二極管芯片的樹脂單元，其中所述樹脂單元由所述親水圖案限定。

16.權利要求15所述的發光二極管封裝件，其中所述親水圖案包括多個納米結構。

17.權利要求15所述的發光二極管封裝件，其中所述親水圖案受到O₂等離子體處理。