[發(fā)明專利]一種智能功率模塊的制造方法及智能功率模塊有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210375883.5 | 申請日: | 2012-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN103715106A | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馮宇翔;黃祥鈞 | 申請(專利權(quán))人: | 廣東美的制冷設(shè)備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L25/16 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 528311 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 智能 功率 模塊 制造 方法 | ||
1.一種智能功率模塊的制作方法,其特征在于,包括下述步驟:
選取一金屬基板,在所述金屬基板上依次疊層設(shè)置絕緣層及電路布線,在所述電路布線之上安裝電路元件,并使所述電路元件與所述電路布線相連接;
在所述電路布線上安裝引腳,且使所述引腳的走向相對所述金屬基板的表面逐漸向上傾斜;
將所述金屬基板放置于封裝模具中,通過所述封裝模具上的第一固定裝置將所述引腳固定于一水平面上,使所述金屬基板的表面相對水平面傾斜;
通過所述封裝模具上的第二固定裝置配置平行于水平面的金屬壓塊,并將所述金屬壓塊壓于所述金屬基板配置電路布線和電路元件以外的區(qū)域,使所述金屬基板平行于水平面;
將封裝模具合模,向所述封裝模具中注入封裝材料,將所述金屬基板密封;
其中,所述金屬壓塊的硬度大于所述引腳的硬度;
所述第一固定裝置的位置根據(jù)預(yù)設(shè)的金屬基板在所述封裝模具中的水平位置設(shè)定;
所述第二固定裝置的位置根據(jù)預(yù)設(shè)的金屬基板在所述封裝模具中的豎直位置設(shè)定。
2.如權(quán)利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述金屬壓塊分設(shè)為兩個(gè),分別壓制于所述金屬基板的相對的兩邊。
3.如權(quán)利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述金屬壓塊超出所述金屬基板的部分與所述引腳超出所述金屬基板的部分位于所述金屬基板的同側(cè)。
4.如權(quán)利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述金屬壓塊的表面設(shè)有用于加強(qiáng)所述金屬壓塊與封裝材料之間的結(jié)合力的凸起結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的制作方法,其特征在于,在所述電路布線上安裝引腳的步驟具體為:
對所述金屬基板進(jìn)行預(yù)熱,預(yù)熱溫度為95~105℃;
在所述引腳與所述電路布線相接觸的區(qū)域涂覆焊接材料;
通過壓焊的方式將所述引腳固定于所述電路布線上,焊接溫度為280~320℃,焊接時(shí)間小于或等于5S。
6.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的制作方法,其特征在于,在將所述金屬基板放置于所述封裝模具中之前,還包括下述步驟:
在無氧環(huán)境中對所述金屬基板進(jìn)行烘烤,烘烤時(shí)間大于或等于2小時(shí),烘烤溫度為120~130℃。
7.一種智能功率模塊,其特征在于,包括金屬基板,在所述金屬基板上依次疊層設(shè)有絕緣層及電路布線,在所述電路布線上設(shè)有與所述電路布線相連接的電路元件,所述電路布線連接有引腳;
在所述金屬基板配置電路布線和電路元件以外的區(qū)域設(shè)有硬度大于所述引腳的金屬壓塊;
所述金屬基板至少具有所述電路布線的一面由封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行無孔密封,所述引腳和金屬壓塊延伸至所述封裝結(jié)構(gòu)之外。
8.如權(quán)利要求7所述的智能功率模塊,其特征在于,所述金屬壓塊分設(shè)為兩個(gè),且分別靠近所述金屬基板的兩條對邊設(shè)置。
9.如權(quán)利要求7或8所述的智能功率模塊,其特征在于,所述引腳和金屬壓塊自所述封裝結(jié)構(gòu)的同側(cè)伸出。
10.如權(quán)利要求7或8所述的智能功率模塊,其特征在于,所述金屬壓塊的表面設(shè)有凸起結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





