[發(fā)明專利]一種檢測(cè)晶背缺陷的裝置及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210375818.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-10-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102915938A | 公開(公告)日: | 2013-02-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭賢權(quán);許向輝;顧珍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/66 | 分類號(hào): | H01L21/66;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海申新律師事務(wù)所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
| 地址: | 201210 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 檢測(cè) 缺陷 裝置 方法 | ||
1.一種檢測(cè)晶背缺陷的裝置,應(yīng)用于晶圓的晶面和晶背的目測(cè),包括掃描電子顯微鏡,其特征在于,還包括支撐翻轉(zhuǎn)裝置;
所述晶圓固定在所述支撐翻轉(zhuǎn)裝置上,所述支撐翻轉(zhuǎn)裝置帶動(dòng)所述晶圓至所述掃描電子顯微鏡的下方,以將所述晶圓的晶面或晶背正對(duì)所述掃描電子顯微鏡;
其中,所述晶圓的晶面空白區(qū)域與所述支撐翻轉(zhuǎn)裝置貼合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)晶背缺陷的裝置,其特征在于,所述支撐翻轉(zhuǎn)裝置包括上支撐片、下支撐片、機(jī)械軸和動(dòng)力裝置;
所述上支撐片和下支撐片與所述機(jī)械軸固定連接形成卡槽,所述上支撐片與所述晶圓的晶面空白區(qū)域貼合,所述下支撐片與所述晶圓的晶背貼合,所述動(dòng)力裝置通過所述機(jī)械軸帶動(dòng)所述晶圓轉(zhuǎn)動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)晶背缺陷的裝置,其特征在于,所述掃描電子顯微鏡不包含有載物臺(tái),所述動(dòng)力裝置為馬達(dá)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)晶背缺陷的裝置,其特征在于,所述上支撐片與所述下支撐片為與所述晶圓匹配的環(huán)形支撐片,即d-1cm≤r<d<R≤d+1cm,d為晶圓半徑,r為環(huán)形支撐片的內(nèi)徑,R為環(huán)形支撐片的外徑。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)晶背缺陷的裝置及方法,其特征在于,所述環(huán)形支撐片的翻轉(zhuǎn)時(shí)固定的高度H大于所述環(huán)形支撐片的外徑R。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)晶背缺陷的裝置,其特征在于,所述上支撐片與所述晶圓的晶面貼合處固定設(shè)置有材質(zhì)為橡膠的薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)晶背缺陷的裝置,其特征在于,還包括真空吸片器,所述下支撐片上設(shè)置與所述真空吸片器形狀適應(yīng)的吸孔,所述真空吸片器通過所述吸孔吸附在所述晶圓的晶背上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的檢測(cè)晶背缺陷的裝置,其特征在于,所述下支撐片上設(shè)置有三個(gè)成120°的吸孔。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)晶背缺陷的裝置,其特征在于,所述上支撐片、下支撐片和機(jī)械軸的材質(zhì)均為鋁合金。
10.一種檢測(cè)晶背缺陷的方法,包括上述權(quán)利要求1-9中任意一項(xiàng)所述的檢測(cè)晶背缺陷的裝置,其特征在于,還包括:
將晶圓固定在所述支撐翻轉(zhuǎn)裝置上,并調(diào)整所述晶圓的晶面或晶背正對(duì)所述掃描電子顯微鏡;
進(jìn)行晶面或晶背缺陷檢測(cè)分析后;
通過所述支撐翻轉(zhuǎn)裝置將晶圓旋轉(zhuǎn),以使得晶圓的另一面正對(duì)所述掃描電子顯微鏡;
進(jìn)行晶背或晶面缺陷檢測(cè)分析。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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