[發明專利]一種離子注入附加掩膜的方法

在審

• 申請號: 201210375752.7
• 申請日: 2012-10-08
• 公開（公告）號: CN102915915A
• 公開（公告）日: 2013-02-06
• 發明（設計）人: 賴朝榮;鄧建寧;張旭昇
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 竺路玲

1.一種離子注入附加掩膜的方法，用于多項目晶圓中，其特征在于，在所述多項目晶圓前增加一塊掩膜板，并往所述多項目晶圓中注入N元素；所述N元素用于把所述多項目晶圓的硅表面非晶化。

2.如權利要求1所述的離子注入附加掩膜的方法，其特征在于，采用離子注入機臺注入N元素。

3.如權利要求1所述的離子注入附加掩膜的方法，其特征在于，采用4種不同的劑量往所述多項目晶圓中注入N元素。

4.如權利要求3所述的離子注入附加掩膜的方法，其特征在于，在同一片所述晶圓的不同區域注入不同劑量的N元素。

5.如權利要求1-4中任意一項所述的離子注入附加掩膜的方法，其特征在于，具體步驟包括：

步驟a，采用離子注入機臺，用所述附加掩膜離子注入N元素；

步驟b，在所述多項目晶圓上生長柵氧化層；

步驟c，根據所注入N元素的劑量類型，完成不同厚度的柵氧化層。