[發明專利]TEM樣品的制備方法有效
| 申請號： | 201210375596.4 | 申請日： | 2012-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN103698170A | 公開（公告）日： | 2014-04-02 |
| 發明（設計）人： | 齊瑞娟;趙燕麗;段淑卿;陳柳 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | G01N1/28 | 分類號： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 北京德琦知識產權代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛崢;王麗琴 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tem 樣品 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種TEM樣品的制備方法，包括：
通過切割從晶圓中截取初級樣品；
對截取的所述初級樣品進行激光標記以指定目標區域；
將初級樣品放入聚焦等離子機臺對指定的目標區域進行聚焦離子束切割，以得到在厚度方向上具有前后兩個成像端面的樣品；
對聚焦離子束切割后的樣品進行離子減薄。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，對聚焦離子束切割后的樣品進行離子減薄的步驟包括：
將聚焦離子束切割后的樣品黏附于支架，其中所述聚焦離子束切割后的樣品的一個成像端面的局部與支架通過鍍鎢或鍍鉑黏附于所述支架；
將黏附有聚焦離子束切割后的樣品的支架放置于PIPS機臺；
對所述聚焦離子束切割后的樣品的兩個成像端面進行離子減薄。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述對聚焦離子束切割后的樣品的兩個成像端面進行離子減薄包括：
使用氬離子源，以與所述聚焦離子束切割后的樣品的兩個成像端面成大于0°小于等于6°的夾角，進行10至20秒的離子減薄。
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