[發(fā)明專利]集成肖特基二極管的MOS器件的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210375437.4
• 申請日: 2012-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN102945806B
• 公開（公告）日: 2018-06-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周偉;全馮溪
• 申請（專利權(quán)）人: 上海集成電路研發(fā)中心有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/329;H01L27/06;H01L29/872;H01L29/78
• 代理公司: 上海天辰知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275
• 代理人: 吳世華;林彥之

1.一種集成肖特基二極管的MOS器件的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成第一導(dǎo)電類型的外延層，所述外延層的多數(shù)載流子濃度低于所述半導(dǎo)體襯底的多數(shù)載流子濃度；

在所述第一導(dǎo)電類型的外延層進(jìn)行第二導(dǎo)電類型的摻雜劑的離子注入和擴(kuò)散以形成多個(gè)第二導(dǎo)電類型的體區(qū)，且所述體區(qū)之間形成有預(yù)定間隔區(qū)域，其中所述第二導(dǎo)電類型與所述第一導(dǎo)電類型相反；

在每一所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)形成多個(gè)槽柵，第二導(dǎo)電類型的接觸區(qū)以及第一導(dǎo)電類型的源區(qū)；

沉積并刻蝕層間介質(zhì)層，使所述層間介質(zhì)層覆蓋所述槽柵及部分所述第一導(dǎo)電類型的源區(qū)以形成接觸孔；以及

在所述接觸孔上方沉積金屬層，所述金屬層與所述預(yù)定間隔區(qū)域的所述第一導(dǎo)電類型的外延層形成肖特基二極管；

其中所述第一導(dǎo)電類型的源區(qū)包括第一源區(qū)和第二源區(qū)，所述第二源區(qū)為相鄰槽柵共用的源區(qū)，相鄰所述槽柵間的多個(gè)所述第一源區(qū)通過所述第二源區(qū)相連；所述層間介質(zhì)層僅覆蓋所述槽柵及部分所述第一源區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，在每一所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)形成多個(gè)槽柵，第二導(dǎo)電類型的接觸區(qū)以及第一導(dǎo)電類型的源區(qū)的步驟包括：

在所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)上表面進(jìn)行第二導(dǎo)電類型的摻雜劑的離子注入以形成所述第二導(dǎo)電類型的接觸區(qū)，所述接觸區(qū)的多數(shù)載流子濃度高于所述體區(qū)的多數(shù)載流子濃度；以及

在所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)上表面進(jìn)行第一導(dǎo)電類型的摻雜劑的離子注入以形成所述第一導(dǎo)電類型的源區(qū)同時(shí)保留部分所述第二導(dǎo)電類型的接觸區(qū)，所述源區(qū)的多數(shù)載流子濃度高于所述第一導(dǎo)電類型外延層的多數(shù)載流子濃度。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，在每一所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)形成多個(gè)槽柵，第二導(dǎo)電類型的接觸區(qū)以及第一導(dǎo)電類型的源區(qū)的步驟還包括：

提供溝槽掩膜版并刻蝕出所述多個(gè)溝槽；

在所述溝槽內(nèi)生長柵極氧化層；

在所述溝槽內(nèi)淀積多晶硅層；以及

刻蝕所述柵極氧化層及多晶硅層以形成所述槽柵。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述槽柵的深度大于所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)的結(jié)深。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，利用掩膜版定義所述第二導(dǎo)電類型的體區(qū)與所述第一導(dǎo)電類型的源區(qū)的圖形，且定義所述體區(qū)的掩膜版與定義所述源區(qū)的掩膜版相同。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型的源區(qū)的離子注入量大于所述第二導(dǎo)電類型的接觸區(qū)的離子注入量。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，還包括在所述襯底上形成漏極金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述槽柵數(shù)為2。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型。