[發(fā)明專利]發(fā)熱元件搭載用基板及其制造方法以及半導(dǎo)體封裝件無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210375167.7 | 申請日: | 2012-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN103107271A | 公開(公告)日: | 2013-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 今井升;伊坂文哉;松尾長可;根本正德;田野井稔 | 申請(專利權(quán))人: | 日立電線株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/62 | 分類號: | H01L33/62 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;於毓楨 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)熱 元件 搭載 用基板 及其 制造 方法 以及 半導(dǎo)體 封裝 | ||
1.一種發(fā)熱元件搭載用基板,其特征在于,具備:
基板,其具有絕緣性,且具有第一面及與所述第一面相反的一側(cè)的第二面;
多個(gè)配線圖案,其形成于所述基板的所述第一面上;以及
多個(gè)填充部,其形成有向厚度方向貫通所述基板的多個(gè)貫通孔,并且由以與所述多個(gè)配線圖案接觸且露出于所述基板的所述第二面?zhèn)鹊姆绞教畛溆谒龆鄠€(gè)貫通孔中的導(dǎo)電性材料構(gòu)成,
所述多個(gè)配線圖案中至少一個(gè)配線圖案的面積是所述基板的所述第一面的面積的30%以上,
所述多個(gè)填充部在從所述基板的所述第二面?zhèn)扔^察時(shí),所述多個(gè)填充部與所述多個(gè)配線圖案分別重疊的面積是對應(yīng)的所述配線圖案的面積的50%以上,
在所述基板的所述第一面或所述第二面上搭載發(fā)熱元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)熱元件搭載用基板,其特征在于,
所述貫通孔在所述第二面上的開口大于在所述第一面上的開口,并且所述貫通孔的側(cè)面相對于與所述基板的所述第一面垂直的線具有30度以上的傾斜角。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)熱元件搭載用基板,其特征在于,
所述多個(gè)填充部由在所述多個(gè)貫通孔的所述基板的厚度的1/2以上的部分填充的銅或銅合金形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的發(fā)熱元件搭載用基板,其特征在于,
所述基板由包含聚酰亞胺且能夠進(jìn)行化學(xué)蝕刻的材質(zhì)形成。
5.一種發(fā)熱元件搭載用基板的制造方法,其特征在于,包括:
在具有絕緣性且具有第一面及與所述第一面相反的一側(cè)的第二面的基板的所述第一面上形成多個(gè)配線圖案的工序;
利用化學(xué)蝕刻法形成向厚度方向貫通所述基板的多個(gè)貫通孔的工序;以及
以與所述多個(gè)配線圖案接觸且露出于所述基板的所述第二面?zhèn)鹊姆绞剑缅兏卜ㄔ谒龆鄠€(gè)貫通孔中填充導(dǎo)電性材料,從而形成多個(gè)填充部的工序。
6.一種半導(dǎo)體封裝件,其特征在于,具備:
權(quán)利要求1~4中任一項(xiàng)所述的發(fā)熱元件搭載用基板;以及
發(fā)熱元件,該發(fā)熱元件搭載在所述發(fā)熱元件搭載用基板的所述第一面上或所述第二面上,并與所述配線圖案或所述填充部電連接。
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