[發(fā)明專利]鎢硅靶材的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210374813.8 | 申請日: | 2012-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN103695852A | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姚力軍;相原俊夫;大巖一彥;潘杰;王學(xué)澤;宋佳 | 申請(專利權(quán))人: | 寧波江豐電子材料有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/35 | 分類號: | C23C14/35;B22F3/16 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 駱蘇華 |
| 地址: | 315400 浙江省寧波市余姚*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鎢硅靶材 制造 方法 | ||
1.一種鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,包括:
提供鎢粉和硅粉;
采用濕混工藝將所述鎢粉和所述硅粉進行混合,形成混合粉末;
采用冷壓工藝將所述混合粉末制成鎢硅靶材坯料;
采用真空熱壓工藝將所述鎢硅靶材坯料制成鎢硅靶材。
2.如權(quán)利要求1所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,所述濕混工藝采用鎢球作為研磨介質(zhì)球。
3.如權(quán)利要求2所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,所述濕混工藝中所述研磨介質(zhì)球和混合物料的球料質(zhì)量比為(2:1)~(5:1)。
4.如權(quán)利要求3所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,所述濕混工藝中加入的液體為質(zhì)量比為1:1的乙醇和甘油的混合溶液,所述混合溶液的質(zhì)量占全部所述混合物料質(zhì)量的1%~3%之間。
5.如權(quán)利要求4所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,所述濕混工藝的混合時間為4到8小時。
6.如權(quán)利要求5所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,所述濕混工藝中,所述混合物料混合均勻后形成漿料,所述漿料烘干后形成塊狀的所述混合粉末,塊狀的所述混合粉末進行破碎形成粉末狀的所述混合粉末。
7.如權(quán)利要求6所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,烘干所述漿料時的溫度控制在60℃~90℃。
8.如權(quán)利要求1所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,所述冷壓工藝中使用的模具為石墨模具。
9.如權(quán)利要求8所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,所述冷壓工藝中對所述石墨模具施加的壓強控制在4MPa~7MPa。
10.如權(quán)利要求1所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,所述真空熱壓工藝包括:
初始時對真空熱壓爐抽真空至真空度在100Pa以下;
對所述鎢硅靶材坯料升溫至最高溫度并加壓至最大壓強,而后保溫保壓。
11.如權(quán)利要求10所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,抽真空步驟后,升溫加壓步驟前,向所述真空熱壓爐通入惰性氣體至爐內(nèi)的相對壓強為-0.06MPa~-0.08MPa。
12.如權(quán)利要求11所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,所述升溫加壓中,升溫速度為5℃/min~20℃/min,所述最高溫度為1250℃~1350℃,升壓速度為0.10MPa/min~0.30MPa/min,所述最大壓強為15MPa~25MPa。
13.如權(quán)利要求12所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,所述保溫保壓的時間控制在2到4小時。
14.如權(quán)利要求13所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,所述保溫保壓操作過后,對所述真空熱壓爐進行冷卻和泄壓,當所述真空熱壓爐的爐溫降至200℃后打開爐門將所述鎢硅靶材取出。
15.如權(quán)利要求14所述的鎢硅靶材的制造方法,其特征在于,將取出的所述鎢硅靶材進行磨削、車削或者線切割等機械加工以使其達到預(yù)設(shè)尺寸。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





