[發明專利]一種半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201210374454.6
• 申請日: 2009-03-06
• 公開（公告）號: CN102881580A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 駱統;蘇金達;楊大弘;陳光釗
• 申請（專利權）人: 旺宏電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L21/768;H01L23/532;H01L29/43
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于該方法制造包括：

提供一基材；

在該基材上形成一介電層；

在該介電層內提供一開口；

在該介電層與該開口上利用物理氣相沉積法形成一第一鈦層；

在該第一導電層上利用化學氣相沉積法形成一第二鈦層；以及

在該第二鈦層上形成一勢壘層；

其中該第一鈦層與該第二鈦層直接接觸。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的第一鈦層具有一介于5至30埃的厚度。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于其中于該介電層內提供該開口的步驟包括移除部分該介電層。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的勢壘層包括氮化鈦、氮化鉭、氮化鎢以及鎢化鈦或其組合的至少其中之一。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于其更包括在一含有氮氣的腔室中回火該勢壘層。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于其更包括于該勢壘層上形成一金屬層以填充該開口。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述的勢壘層的厚度為5至500埃。

8.一種半導體裝置，其特征在于其包括：

一基材；

一介電層，位于該基材上，該介電層內具有一開口；

一第一鈦層，位于該基材上及該開口內；

一第二鈦層，位于該第一鈦層上；以及

一勢壘層，位于該第二鈦層上；

其中，該第一鈦層是利用物理氣相沉積法形成，該第二鈦層是利用化學氣相沉積法形成，并且該第一鈦層與該第二鈦層直接接觸。

9.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于其中所述的第一鈦層的厚度介于5至30埃。

10.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于其中所述的第二鈦層包括以氯化鈦形成的一鈦層，且該第二鈦層的厚度介于5至100埃。

11.根據權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于其中所述的勢壘層包括以氯化鈦與氨形成的一氮化鈦層，且該勢壘層的厚度介于20至200埃。