[發(fā)明專利]一種環(huán)形正面電極無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210373279.9 | 申請日: | 2012-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN103000708A | 公開(公告)日: | 2013-03-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 安丹丹;張滿良;吳廷斌;黃紅娜 | 申請(專利權(quán))人: | 奧特斯維能源(太倉)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 南京蘇高專利商標事務(wù)所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 柏尚春 |
| 地址: | 215434 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 環(huán)形 正面 電極 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種太陽能電池片,具體是一種太陽能電池片的正面電極。?
背景技術(shù)
太陽能電池在電池結(jié)構(gòu)不發(fā)生改變的情況下,印刷工藝對電池效率具有顯著影響,其中正面柵線圖形的優(yōu)化可以明顯提升電池效率;為進一步提高晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率,各個太陽能電池生產(chǎn)廠家都在推行高的擴散方阻控制區(qū)間以便得到更高的開路電壓和短路電流,但填充因子較低阻工藝會有一定的損失,且使得燒結(jié)窗口變窄,燒結(jié)不良導(dǎo)致的低功率電池片比例明顯增加。?
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的:是針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足,提供一種能夠提升晶硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率的環(huán)形正面電極。?
技術(shù)方案:為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種環(huán)形正面電極,包括:主柵和細柵;所述細柵為一組以硅片中心為圓心的同心圓環(huán);主柵為中間寬兩頭尖的針葉形;主柵將細柵等分。?
本發(fā)明中所述細柵中圓環(huán)由里及外,每個圓環(huán)的寬度從小逐漸增大;圓環(huán)的寬度范圍為:?0.04~0.08mm;所述細柵中圓環(huán)之間的間距為中心密,邊緣疏的分布形式;所述主柵的最寬度距離為1.5mm。?
本發(fā)明所述環(huán)形正面電極針對擴散后硅片薄層電阻值的環(huán)形分布(如圖2),且由里及外逐漸降低的特點,采用跟硅片薄層電阻分布相匹配的環(huán)形柵線設(shè)計,對于硅片中心區(qū)域薄層電阻值高的特點,采用密集的環(huán)形細柵線,對于硅片邊緣薄層電阻低的區(qū)域,采用常規(guī)的環(huán)形細柵線,而主柵線的針葉形設(shè)計,降低了銀漿的耗量,降低了生產(chǎn)成本。
本發(fā)明中針對擴散后硅片薄層電阻值的分布特點,根據(jù)各個區(qū)域密集度不同設(shè)計細柵,有效的提升了電性能、加寬了燒結(jié)窗口,降低了燒結(jié)不良的風(fēng)險,使電池片功率的整體分布更高更集中,同時也進一步減少了銀漿的使用量,降低了成本。?
本發(fā)明所述環(huán)形正面電極,在當前高阻值擴散方阻均勻性難以保證的情況下,最大限度的匹配薄層電阻的分布,增加電子的有效傳導(dǎo),擴大燒結(jié)窗口,提升晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率。?
有益效果:本發(fā)明所述的一種太陽能電池的環(huán)形正面電極,具有以下優(yōu)點:?
本發(fā)明根據(jù)擴散后硅片薄層電阻值的分布特點設(shè)計太陽能電池的正面電極,電性能、加寬了燒結(jié)窗口,降低了燒結(jié)不良的風(fēng)險,使電池片功率的整體分布更高更集中,同時也進一步減少了銀漿的使用量,降低了成本。
附圖說明
圖1為本發(fā)明的示意圖。?
圖2為本發(fā)明所述環(huán)形正面電極針對擴散后硅片薄層電阻值的環(huán)形分布圖。?
具體實施方式
下面結(jié)合附圖和具體實施例,進一步闡明本發(fā)明,本實施例在以本發(fā)明技術(shù)方案為前提下進行實施,應(yīng)理解這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。?
??實施例:?
如圖1所示的一種太陽能電池的正面電極,包括:主柵1和細柵2;所述細柵2為一組以硅片中心為圓心的同心圓環(huán);主柵1為中間寬兩頭尖的針葉形;主柵1將細柵2四等分。所述細柵2中圓環(huán)由里及外,每個圓環(huán)的寬度從小逐漸增大;所述細柵2中圓環(huán)之間的間距為中心密,邊緣疏的分布形式。?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





