[發(fā)明專利]高速太赫茲波調(diào)制裝置及其方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210373275.0
• 申請(qǐng)日: 2012-09-27
• 公開（公告）號(hào): CN102902130A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李九生
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)計(jì)量學(xué)院
• 主分類號(hào): G02F1/355
• 分類號(hào): G02F1/355;H04B10/516
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 張法高

1.一種高速太赫茲波調(diào)制裝置，其特征在于包括太赫茲波輸入端（1）、激光輸入端（2）、太赫茲波輸出端（3）、太赫茲波探測(cè)器（4）、半圓柱形高阻硅透鏡（5）、金屬薄膜層（6）和基體（7）；在基體（7）上設(shè)有金屬薄膜層（6），金屬薄膜層（6）上設(shè)有半圓柱形高阻硅透鏡（5），半圓柱形高阻硅透鏡（5）下底面為長(zhǎng)方形，半圓柱形高阻硅透鏡（5）下底面與金屬薄膜層（6）相連，太赫茲波從太赫茲波輸入端（1）輸入，在沒有外加激光的條件下，太赫茲波被反射回太赫茲波輸出端（3），太赫茲波輸出端（3）相應(yīng)位置設(shè)有太赫茲波探測(cè)器（4）。

2.如權(quán)利要求1所述的一種高速太赫茲波調(diào)制裝置，其特征在于所述的太赫茲波輸入端（1）輸入的太赫茲波的入射角度θ為5°~85°。

3.如權(quán)利要求1所述的一種高速太赫茲波調(diào)制裝置，其特征在于所述的金屬薄膜層（6）的材料為銀，厚度為0.1μm?~0.5μm。

4.如權(quán)利要求1所述的一種高速太赫茲波調(diào)制裝置，其特征在于所述的基體（7）為聚合物材料，厚度為100μm?~110μm。

5.一種使用如權(quán)利要求1所述裝置的高速太赫茲波調(diào)制方法，其特征在于當(dāng)頻率為0.5THz的太赫茲波從太赫茲波輸入端（1）輸入時(shí)，在沒有外加激光從激光輸入端（2）輸入的條件下，太赫茲波經(jīng)過半圓柱形高阻硅透鏡（5）到達(dá)金屬薄膜層（6）后，被反射回太赫茲波輸出端（3），從而能夠被相應(yīng)的太赫茲波探測(cè)器（4）探測(cè)；當(dāng)有外加激光從激光輸入端（2）輸入時(shí)，聚合物材料基體（7）的折射率會(huì)迅速發(fā)生變化，所述裝置的導(dǎo)波諧振頻率發(fā)生改變，太赫茲波將在金屬薄膜層（6）和基體（7）之間進(jìn)行傳輸，不能反射回太赫茲波輸出端（3），相應(yīng)的太赫茲波探測(cè)器（4）探測(cè)不到太赫茲波，從而實(shí)現(xiàn)高速太赫茲波調(diào)制。