[發明專利]高電子遷移率晶體管

有效

• 申請號: 201210372508.5
• 申請日: 2012-09-29
• 公開（公告）號: CN102856373A
• 公開（公告）日: 2013-01-02
• 發明（設計）人: 唐武;郭涵
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/06
• 代理公司: 成都虹橋專利事務所 51124
• 代理人: 劉世平

1.高電子遷移率晶體管，包括柵極金屬、源極金屬、漏極金屬、基底、緩沖層、溝道層及勢壘層，其特征在于，所述基底上外延生長有插入層，插入層上外延生長有緩沖層，緩沖層上外延生長有溝道層，溝道層上外延生長有勢壘層，勢壘層上外延生長有蓋帽層，柵極金屬、源極金屬及漏極金屬分別位于蓋帽層上，柵極金屬與源極金屬之間及柵極金屬與漏極金屬之間具有鈍化層，鈍化層與蓋帽層相接觸。

2.根據權利要求1所述高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述基底為碳化硅材料，所述插入層為氮化鋁材料，其厚度為3nm，所述緩沖層為摻雜的氮化鎵材料，其厚度為3μm，所述溝道層為氮化鎵材料，其厚度為80nm，所述勢壘層為AlGaN材料，其厚度為30nm，Al（即鋁）的組分為0.3，所述蓋帽層為氮化鎵材料，厚度為5nm，摻雜濃度為1×10¹⁸cm^-3到5×10¹⁸cm^-3之間，所述鈍化層為氮化硅材料，厚度為0.12μm。

3.根據權利要求2所述高電子遷移率晶體管，其特征在于，所述柵極金屬是金，與氮化鎵蓋帽層形成肖特基接觸，源極金屬及漏極金屬為鎳，與氮化鎵蓋帽層形成歐姆接觸。