[發(fā)明專利]一種防止金屬遷移的半導(dǎo)體發(fā)光器件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210372376.6
• 申請(qǐng)日: 2012-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN102931314A
• 公開（公告）日: 2013-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鐘志白;李水清;楊建健;張燦源;梁兆煊
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門市三安光電科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/40
• 分類號(hào): H01L33/40;H01L33/46
• 代理公司: 暫無(wú)信息
• 代理人: 暫無(wú)信息

1.一種防止金屬遷移的半導(dǎo)體發(fā)光器件，包括由n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、p型半導(dǎo)體層構(gòu)成的多層發(fā)光結(jié)構(gòu)，其特征在于：還包括

反射層，形成于所述P型半導(dǎo)體層上，含有易遷移金屬；

阱環(huán)結(jié)構(gòu)，形成于所述P型半導(dǎo)體層，并包圍所述反射層，防止反射層的金屬向側(cè)壁遷移；

?金屬覆蓋層，覆蓋所述反射層，并向所述阱環(huán)結(jié)構(gòu)延伸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：根據(jù)反射層大小，在所述P型半導(dǎo)體形成阱環(huán)結(jié)構(gòu)，阱環(huán)結(jié)構(gòu)深度不超過(guò)150nm；寬度不超過(guò)20um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述阱環(huán)結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或復(fù)數(shù)個(gè)阱環(huán)圍繞所述反射層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：在P型半導(dǎo)體層中，阱環(huán)內(nèi)的電阻率比阱環(huán)外的電阻率高。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述阱環(huán)結(jié)構(gòu)為形成于P型半導(dǎo)體的凹槽結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述凹槽結(jié)構(gòu)填充有絕緣材料層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述凹槽結(jié)構(gòu)填充有易與反射層材料共熔的金屬層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1的所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述金屬覆蓋層厚度為200nm～2000nm，填滿阱環(huán)結(jié)構(gòu)，并與整個(gè)P型層形成良好歐姆接觸。

9.根據(jù)權(quán)利要求1的所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：所述金屬覆蓋層的材料選自Ti、Pt、W、Au、Ni、Sn和Cr其中一種或其組合。

10.根據(jù)權(quán)利要求1的所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其特征在于：利用離子注入的方法在P型半導(dǎo)體層包圍所述反射層的區(qū)域形成高阻結(jié)構(gòu)，構(gòu)成阱環(huán)結(jié)構(gòu)。