[發明專利]多層陶瓷電子元件及其制造方法

在審

• 申請號: 201210371992.X
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103377826A
• 公開（公告）日: 2013-10-30
• 發明（設計）人: 金鐘翰;樸宰滿
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01G4/30
• 分類號: H01G4/30;H01G4/005;H01G4/12
• 代理公司: 北京潤平知識產權代理有限公司 11283
• 代理人: 施娥娟;董彬

1.一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：

陶瓷體，該陶瓷體中包括介電層；

多個內電極，該多個內電極相互面對并使所述介電層插入所述內電極之間；以及

外電極，該外電極與所述多個內電極電連接，

其中，當所述內電極的厚度用te來表示時，滿足0.1μm≤te≤0.5μm，并且，在穿過所述陶瓷體的沿寬度（W）方向的中間部分截斷并沿長度和厚度（L-T）方向截取的所述陶瓷體的橫截面中，內電極顆粒的中間部分沿長度方向到所述內電極的斷開部分最近的距離用Tc來表示，并且所述內電極顆粒的位于其中間部分之上或之下25%厚度處的點沿長度方向到所述內電極的斷開部分最近的距離用T1來表示時，滿足0.7≤T1/Tc≤1.3。

2.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述內電極的厚度te為所述內電極的平均厚度。

3.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，當所述介電層的平均厚度用td來表示時，滿足td≤0.6μm。

4.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述內電極包含導電金屬粉末和陶瓷粉末，

當所述導電金屬粉末的平均顆粒直徑用Dn來表示，并且所述陶瓷粉末的平均顆粒直徑用Ds來表示時，滿足Ds/Dn≤1/6。

5.根據權利要求4所述的多層陶瓷電子元件，其中，包含在所述內電極中的所述陶瓷粉末包括鈦酸鋇（BaTiO₃）。

6.根據權利要求1所述的多層陶瓷電子元件，其中，在穿過所述陶瓷體的沿寬度（W）方向的中間部分截斷并沿長度和厚度（L-T）方向截取的所述陶瓷體的橫截面中，每個介電層在厚度方向上的介電顆粒的數量為2至7。

7.一種多層陶瓷電子元件，該多層陶瓷電子元件包括：

陶瓷體，該陶瓷體中包括介電層；

多個內電極，該多個內電極相互相對地設置并使所述介電層插入所述內電極之間；以及

外電極，該外電極與所述多個內電極電連接，

其中，當所述介電層的厚度用td來表示時，滿足td≤0.6μm，

并且，在穿過所述陶瓷體的沿寬度（W）方向的中間部分截斷并沿長度和厚度（L-T）方向截取的所述陶瓷體的橫截面中，內電極顆粒的中間部分沿長度方向到所述內電極的斷開部分最近的距離用Tc來表示，并且所述內電極顆粒的位于其中間部分之上或之下25%厚度處的點沿長度方向到所述內電極的斷開部分最近的距離用T1來表示，滿足0.7≤T1/Tc≤1.3。

8.根據權利要求7所述的多層陶瓷電子元件，其中，當所述內電極的厚度用te來表示時，滿足0.1μm≤te≤0.5μm。

9.根據權利要求8所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述內電極的厚度te為所述內電極的平均厚度。

10.根據權利要求7所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述介電層的厚度td為所述介電層的平均厚度。

11.根據權利要求7所述的多層陶瓷電子元件，其中，所述內電極包含導電金屬粉末和陶瓷粉末，

當所述導電金屬粉末的平均顆粒直徑用Dn來表示，所述陶瓷粉末的平均顆粒直徑用Ds來表示時，滿足Ds/Dn≤1/6。

12.根據權利要求7所述的多層陶瓷電子元件，其中，在所述陶瓷體的沿寬度（W）方向的中間部分截斷并沿長度和厚度（L-T）方向截取的所述陶瓷體的橫截面中，每個介電層在厚度方向上的介電顆粒的數量為2至7。

13.一種制造多層陶瓷電子元件的方法，該方法包括：

制備包括介電層的陶瓷生片；

通過使用用于內電極的導電糊，在所述陶瓷生片上形成內電極圖案，所述導電糊包括導電金屬粉末和陶瓷粉末；以及

層壓和燒結形成有所述內電極圖案的所述陶瓷生片，以此形成陶瓷體，該陶瓷體包括多個相互面對地設置的內電極并使所述介電層插入所述內電極之間，

其中，在穿過所述陶瓷體的沿寬度（W）方向的中間部分截斷并沿長度和厚度（L-T）方向截取的所述陶瓷體的橫截面中，內電極顆粒的中間部分沿長度方向到所述內電極的斷開部分最近的距離用Tc來表示，并且內電極顆粒的位于其中間部分之上或之下25%厚度處的點沿長度方向到所述內電極的斷開部分最近的距離用T1來表示，滿足0.7≤T1/Tc≤1.3。