[發明專利]一種氣體回流預防裝置有效
| 申請號： | 201210371847.1 | 申請日： | 2012-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN102856146A | 公開（公告）日： | 2013-01-02 |
| 發明（設計）人： | 周旭升;倪圖強 | 申請（專利權）人： | 中微半導體設備（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01J37/305 | 分類號： | H01J37/305;H01J37/02 |
| 代理公司： | 上海信好專利代理事務所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 張靜潔;徐雯瓊 |
| 地址： | 201201 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氣體 回流 預防 裝置 | ||
1.一種氣體回流預防裝置（1），套置在等離子體刻蝕設備的反應腔（9）內的晶片基座（2）外，其特征在于，所述的氣體回流預防裝置（1）設為環狀本體（11），所述的環狀本體（11）上間隔設置多個氣道（12），在等離子刻蝕設備工作過程中環狀本體（11）的上表面氣壓大于環狀本體（11）的下表面氣壓。
2.如權利要求1所述的氣體回流預防裝置（1），其特征在于，所述的氣道（12）為通孔（121），通孔（121）的上開口面積小于下開口面積。
3.如權利要求1所述的氣體回流預防裝置（1），其特征在于，所述的氣道（12）為上下貫通的槽（122），槽（122）的上開口面積小于下開口面積。
4.如權利要求1所述的氣體回流預防裝置（1），其特征在于，所述的氣道（12）為上下貫通的幾何形狀，氣道的上開口面積小于下開口面積。
5.如權利要求2所述的氣體回流預防裝置（1），其特征在于，所述的環狀本體（11）的高度大于通孔（121）上孔徑與通孔下孔徑平均值的2倍。
6.如權利要求3所述的氣體回流預防裝置（1），其特征在于，所述的環狀本體（11）的高度大于槽（122）上槽口寬度與下槽口寬度平均值的2倍。
7.如權利要求4所述的氣體回流預防裝置（1），其特征在于，所述的環狀本體（11）的高度大于幾何形狀上開口尺寸與下開口尺寸的平均值的2倍。
8.如權利要求1所述的氣體回流預防裝置（1），其特征在于，所述的氣道（12）垂直設置在環狀本體（11）中。
9.如權利要求1所述的氣體回流預防裝置（1），其特征在于，所述的氣道（12）斜置在環狀本體（11）中，與環狀本體（11）構成夾角。
10.如權利要求1所述的氣體回流預防裝置（1），其特征在于，所述環狀本體（11）由金屬材料制成。
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