[發明專利]導電材料

無效

• 申請號: 201210371692.1
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103035311A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 內藤勝之;吉永典裕;中野義彥;赤坂芳浩;真竹茂
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01B1/02
• 分類號: H01B1/02;H01B1/04
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 過曉東;譚邦會

1.導電材料，其特征在于該導電材料包括：

至少一個維度為200nm或更小的碳材料，所述碳材料包括選自單層石墨烯和多層石墨烯的石墨烯，構成石墨烯的一部分碳原子被氮原子取代；以及

與所述碳材料混合和/或層合的金屬材料，所述金屬材料包括金屬顆粒和金屬線的至少之一。

2.權利要求1的導電材料，所述導電材料在550nm波長下的透射率為60%或更高。

3.權利要求1的導電材料，其特征在于所述金屬材料包括至少一個維度為200nm或更小的金屬顆粒。

4.權利要求1的導電材料，其特征在于所述金屬材料包括至少一個維度為200nm或更小的金屬線。

5.權利要求1的導電材料，其特征在于所述碳材料的氮與碳的原子比(N/C)為1/5~1/1000。

6.權利要求1的導電材料，其特征在于在使用1s電子的氮原子的x射線光電能譜中，代表401.2eV處強度的I_401.2大于代表398.5eV處強度的I_398.5。

7.權利要求1的導電材料，其特征在于該導電材料進一步包括與所述導電材料混合和/或層合的電子注入材料。

8.權利要求7的導電材料，其特征在于所述電子注入材料具有電子注入性能，并選自以下組中：堿金屬鹽、堿土金屬鹽、n型氧化物半導體、具有被吸電子基團取代的π電子體系的低聚物、和具有被吸電子基團取代的π電子體系的聚合物。

9.權利要求1的導電材料，其特征在于I_O1s/I_C1s比例為1/10或更小，其中I_O1s為X射線光電能譜中530eV處的氧原子峰強度，而I_C1s為285eV處的碳原子C1s的峰強度。

10.權利要求1的導電材料，其特征在于所述碳材料的厚度為100nm或更小。

11.權利要求1的導電材料，其特征在于所述金屬材料選自：Ag、Al、Cu、Au、W、Mo及其合金。

12.透明的導電材料，其特征在于該導電材料包括：

碳材料，所述碳材料含有選自單層石墨烯和多層石墨烯的石墨烯，并且構成石墨烯的一部分碳原子被氮原子取代；以及

與所述碳材料層合的金屬材料，所述金屬材料包括直徑為200nm或更小的金屬線。

13.電氣裝置，其特征在于該電氣裝置包括：

電極對；以及

夾在所述電極之間的功能層，

電極對之一為由導電材料制造的透明電極，所述導電材料包括碳材料和與所述碳材料混合和/或層合的金屬材料，所述碳材料的至少一個維度為200nm或更小，并且包括選自單層石墨烯和多層石墨烯的石墨烯，石墨烯中的一部分碳原子被氮原子取代，金屬材料包括金屬顆粒和金屬線的至少之一。

14.權利要求13的電氣裝置，其特征在于所述金屬材料包括至少一個維度為200nm或更小的金屬顆粒。

15.權利要求13的電氣裝置，其特征在于所述金屬材料包括至少一個維度為200nm或更小的金屬線。

16.權利要求13的電氣裝置，其特征在于所述功能層產生光伏電力，并且所述透明電極布置在接收光的光入射側。

17.權利要求13的電氣裝置，其特征在于所述功能層被分成構造成顯示圖像的像素，而透明電極與顯示圖像的顯示側相反。

18.權利要求13的電氣裝置，其特征在于所述功能層發射光，并且透明電極布置在取出光的一側。

19.權利要求13的電氣裝置，其特征在于所述電極對是透明的。

20.權利要求13的電氣裝置，其特征在于該電氣裝置進一步包括電子注入層。