[發明專利]有源層離子注入方法及薄膜晶體管有源層離子注入方法

有效

• 申請號: 201210371558.1
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN102881571A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 馬占潔
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及液晶顯示器制造領域，尤其涉及一種有源層離子注入方法及薄膜晶體管有源層離子注入方法。

背景技術

采用低溫多晶硅技術(Low?Temperature?Poly-silicon，LTPS)制造的顯示面板，能夠降低顯示屏的功耗，加上LTPS?TFT（Thin?Film?Transistor，薄膜晶體管）顯示面板具有高分辨率、反應速度快、高亮度、高開口率等優點，LTPS?TFT顯示面板得到越來越廣泛的應用。

LTPS?TFT陣列基板制造過程中，為提高TFT特性，對有源層進行離子注入是不可缺少的一個重要步驟，如圖1所示為目前廣泛使用的LTPS?TFT顯示面板的截面示意圖，現有技術的LTPS?TFT陣列基板制造工藝中，首先需要在玻璃基板11上沉積一層緩沖層12，之后在緩沖層12的整個表面上沉積非晶硅a-Si，通過脫氫工藝以及低溫晶化工藝形成多晶硅層。晶化結束后利用有源層掩膜板進行有源層圖形曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝形成有源層13，對形成的有源層13進行離子注入。

現有技術中，進行有源層13離子注入時，為保護有源層13的表面不被離子注入轟擊所損傷，通常利用有源層13表面沉積的柵絕緣層14來保護其表面，注入的離子通過柵絕緣層14進入到有源層13中，達到最終的離子注入效果，如圖2所示。

發明人在實施本發明的過程中，發現現有的LTPS?TFT進行有源層離子注入工藝時，為了防止損失有源層，通過柵絕緣層進行離子注入保護，但是摻雜離子在注入過程中不僅損傷了柵絕緣層的薄膜結構，并且會有離子殘留在柵絕緣層中，使其特性變差；而且在LTPS后端高溫工藝中，柵絕緣層中的離子還會進行擴散，進一步影響柵絕緣層特性。

發明內容

本發明的目的是提供一種有源層離子注入方法及薄膜晶體管有源層離子注入方法，以解決現有技術中利用柵絕緣層進行有源層離子注入時，損傷柵絕緣層薄膜結構，影響柵絕緣層特性的問題。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：

本發明一方面提供了一種有源層離子注入方法，該方法包括：

在有源層上涂覆光刻膠；

透過所述光刻膠對所述有源層進行離子注入。

本發明另一方面還提供了一種薄膜晶體管有源層離子注入方法，該方法包括：

在有源層上涂覆光刻膠；

透過所述光刻膠對與薄膜晶體管TFT溝道區域對應的有源層第一區域進行離子注入。

本發明提供的有源層離子注入方法以及TFT有源層離子注入的方法，通過涂覆的光刻膠作為有源層的保護層進行離子注入，保證有源層離子注入時，不破壞有源層，進行后續工藝時，也能保證柵絕緣層的薄膜結構不破壞，確保柵絕緣層特性，并提高TFT的特性。

附圖說明

圖1為現有技術中LTPS?TFT顯示面板的截面示意圖；

圖2為現有技術利用柵絕緣層進行有源層離子注入的示意圖；

圖3A為本發明實施例提供的LTPS有源層離子注入方法流程圖；

圖3B為本發明實施例提供的有源層涂覆光刻膠示意圖；

圖4A為本發明實施例提供的利用HTM掩膜板對光刻膠進行部分曝光示意圖；

圖4B為本發明實施例提供的利用TFT源漏電極掩膜板對光刻膠進行部分曝光示意圖;

圖4C為本發明實施例提供的LTPS?TFT陣列基板制造過程中光刻膠部分曝光后離子注入示意圖。

具體實施方式

本發明實施例提供的LTPS有源層離子注入的方法，通過涂覆的光刻膠作為有源層的保護層進行離子注入，保證有源層離子注入時，不破壞有源層，進行后續工藝時，也能保證柵絕緣層的薄膜結構不破壞，確保TFT的特性。

本發明實施例一提供一種LTPS有源層離子注入方法，如圖3A所示為本發明實施例一提供的LTPS有源層離子注入方法流程圖。

步驟S301：在玻璃基板11上形成緩沖層12。

具體的，為了防止玻璃基板中有害物質對多晶薄膜層性能的影響，采用化學氣相沉積PECVD法在玻璃基板11上沉積緩沖層12，并且在沉積緩沖層12之前需要進行玻璃基板11的預清洗，提高玻璃基板11的清潔度。

步驟S302：在緩沖層12上形成多晶硅層。

具體的，在緩沖層11上沉積一層非晶硅層a-Si，然后進行脫氫工藝以及低溫晶化處理得到多晶硅層。

步驟S303：曝光顯影形成有源層13。