[發(fā)明專利]具有集成插槽的系統(tǒng)級封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210371500.7 | 申請日： | 2012-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN103295988A | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙子群;胡坤忠;桑帕施·K·V·卡里卡蘭;雷佐爾·拉赫曼·卡恩;彼得·沃倫坎普;陳向東 | 申請（專利權(quán)）人： | 美國博通公司 |
| 主分類號： | H01L23/488 | 分類號： | H01L23/488;H01L21/60;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人： | 田喜慶 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 集成 插槽 系統(tǒng) 封裝 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種具有集成插槽的系統(tǒng)級封裝。
背景技術(shù)
封裝解決方案持續(xù)發(fā)展以滿足受具有更高集成電路密度的電子系統(tǒng)影響的日益嚴(yán)格的設(shè)計(jì)限制。例如，用于將電源和接地以及輸入/輸出（I/O）信號提供給單個半導(dǎo)體封裝內(nèi)的多個有源芯片的一種解決方案利用了一個或多個中間層來將有源芯片電耦接至封裝基板。
然而，隨著趨向更大規(guī)模集成系統(tǒng)的趨勢通過將越來越多的有源芯片一同封裝而繼續(xù)，例如，這些系統(tǒng)對于由于不充分的散熱和/或電磁屏蔽和/或差的信號完整性的性能下降的脆弱性可能變得尖銳?？紤]到對通過更先進(jìn)的系統(tǒng)級封裝實(shí)施來確保可靠性能的這些及其他挑戰(zhàn)，單使用中間層可能不能提供用于容納形成大規(guī)模集成系統(tǒng)的有源芯片中的功率和熱量分布的最佳解決方案。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種系統(tǒng)級封裝，包括：第一有源芯片，其具有在所述第一有源芯片的上表面上的第一多個電連接器；中間層，其位于所述第一有源芯片上方；第二有源芯片，其具有在所述第二有源芯片的下表面上的第二多個電連接器；所述中間層被配置為選擇性將所述第一多個電連接器中的至少一個耦接至所述第二多個電連接器中的至少一個；插槽，其包圍所述第一有源芯片和所述第二有源芯片以及所述中間層，所述插槽電耦接至所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層中的至少一個。
上述系統(tǒng)級封裝中，所述中間層包括至少一層選擇性導(dǎo)電膜。
上述系統(tǒng)級封裝中，所述選擇性導(dǎo)電膜包括具有分散于其中的納米線或納米管的聚合物基體。
上述系統(tǒng)級封裝中，所述插槽被配置為屏蔽所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層使之免于電磁干擾。
上述系統(tǒng)級封裝中，所述插槽被配置為向所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層提供共用封裝接地。
上述系統(tǒng)級封裝中，所述插槽被配置為向所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層提供散熱片。
本發(fā)明還提供了一種系統(tǒng)級封裝，包括：第一有源芯片，其具有在所述第一有源芯片的上表面上的第一多個電連接器。選擇性導(dǎo)電膜，其位于所述第一有源芯片上方；第二有源芯片，其具有在所述第二有源芯片的下表面上的第二多個電連接器；所述選擇性導(dǎo)電膜被配置為選擇性將所述第一多個電連接器中的至少一個耦接至所述第二多個電連接器中的至少一個；插槽，其包圍所述第一有源芯片和所述第二有源芯片以及所述選擇性導(dǎo)電膜。
上述系統(tǒng)級封裝中，所述插槽電耦接至所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述選擇性導(dǎo)電膜中的至少一個。
上述系統(tǒng)級封裝中，所述插槽被配置為屏蔽所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述選擇性導(dǎo)電膜使之免于電磁干擾。
上述系統(tǒng)級封裝中，所述插槽被配置為向所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述選擇性導(dǎo)電膜提供共用封裝接地。
上述系統(tǒng)級封裝中，所述插槽被配置為向所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述選擇性導(dǎo)電膜提供散熱片。
上述系統(tǒng)級封裝中，所述選擇性導(dǎo)電膜包括具有分布于其中的納米線或納米管的聚合物基體。
上述系統(tǒng)級封裝中，所述選擇性導(dǎo)電膜包括具有分布于其中的導(dǎo)電體的聚合物基體。
上述系統(tǒng)級封裝中，所述選擇性導(dǎo)電膜包括各向異性導(dǎo)電膜（ACF）。
本發(fā)明提供了一種用于制造系統(tǒng)級封裝的方法，所述方法包括：配置第一有源芯片，所述第一有源芯片具有在所述第一有源芯片上表面上的第一多個電連接器；將中間層置于所述第一有源芯片上方；將第二有源芯片置于所述中間層上方，所述第二有源芯片具有在所述第二有源芯片的下表面上的第二多個電連接器；利用所述中間層選擇性將所述第一多個電連接器中的至少一個耦接至所述第二多個電連接器中的至少一個；將所述第一有源芯片和所述第二有源芯片以及所述中間層密封在插槽中，所述插槽電耦接至所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層中的至少一個。
上述方法中，所述中間層包括至少一層選擇性導(dǎo)電膜。
上述方法中，所述選擇性導(dǎo)電膜包括具有分布于其中的納米線或納米管的聚合物基體。
上述方法中，所述插槽被配置為屏蔽所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層使之免于電磁干擾。
上述方法中，所述插槽被配置為向所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層提供共用封裝接地。
上述方法中，所述插槽被配置為向所述第一有源芯片、所述第二有源芯片和所述中間層提供散熱片。
附圖說明
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