[發(fā)明專利]用于半導(dǎo)體功率器件的終端有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201210371127.5 | 申請(qǐng)日: | 2012-09-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN102856356A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-01-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 喻巧群;朱陽(yáng)軍;褚為利;田曉麗;吳振興;陸江 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;江蘇中科君芯科技有限公司;江蘇物聯(lián)網(wǎng)研究發(fā)展中心 |
| 主分類號(hào): | H01L29/06 | 分類號(hào): | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司: | 北京市德權(quán)律師事務(wù)所 11302 | 代理人: | 劉麗君 |
| 地址: | 100029 北京市*** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 用于 半導(dǎo)體 功率 器件 終端 | ||
1.用于半導(dǎo)體功率器件的終端,其特征在于,包含至少兩層場(chǎng)板和至少一個(gè)場(chǎng)限環(huán);所述每層場(chǎng)板包含至少兩塊場(chǎng)板,其中,位于主結(jié)正上方的各個(gè)場(chǎng)板互相連接,并且所述主結(jié)與位于該主結(jié)正上方的相應(yīng)場(chǎng)板連接,余下的場(chǎng)板之間通過(guò)絕緣材料隔開(kāi),同時(shí)所述場(chǎng)板位于終端部分的器件襯底外的上方;所述場(chǎng)限環(huán)位于終端部分的器件襯底里,在所述場(chǎng)限環(huán)的外側(cè)設(shè)置有溝道截止環(huán);所述上下相鄰各層場(chǎng)板的各塊場(chǎng)板上下交錯(cuò)排列,同時(shí)所述場(chǎng)板在垂直方向上投影疊加形成的截面的面積與整個(gè)終端的橫截面積相等。
2.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體功率器件的終端,其特征在于,所述場(chǎng)板的層數(shù)為兩層,即第一層場(chǎng)板和第二層場(chǎng)板,所述第一層場(chǎng)板的每塊場(chǎng)板分別與位于各該場(chǎng)板下方的場(chǎng)限環(huán)連接,所述溝道截止環(huán)與位于該溝道截止環(huán)上的場(chǎng)板連接。
3.如權(quán)利要求1所述的用于半導(dǎo)體功率器件的終端,其特征在于,所述場(chǎng)板的層數(shù)為兩層,即第一層場(chǎng)板和第二層場(chǎng)板,所述第一層場(chǎng)板的每塊場(chǎng)板與位于各該場(chǎng)板下方的場(chǎng)限環(huán)和溝道截止環(huán)通過(guò)絕緣材料隔開(kāi)。
4.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的用于半導(dǎo)體功率器件的終端,其特征在于,所述第一層場(chǎng)板的各個(gè)場(chǎng)板包含至少一級(jí)。
5.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的用于半導(dǎo)體功率器件的終端,其特征在于,所述主結(jié)和所述場(chǎng)限環(huán)都是重?fù)诫s的第二導(dǎo)電類型,所述溝道截止環(huán)是重?fù)诫s的第一導(dǎo)電類型。
6.如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的用于半導(dǎo)體功率器件的終端,其特征在于,所述第一層場(chǎng)板、第二層場(chǎng)板和絕緣材料層在制作器件有源區(qū)的過(guò)程中同時(shí)形成。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的





