[發(fā)明專利]平板型IGBT模塊封裝結構

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210371111.4
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN102867787A
• 公開（公告）日: 2013-01-09
• 發(fā)明（設計）人: 李先亮;張紅衛(wèi)
• 申請（專利權）人: 西安永電電氣有限責任公司
• 主分類號: H01L23/04
• 分類號: H01L23/04
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

技術領域

本發(fā)明涉及半導體封裝技術領域，特別是涉及一種平板型IGBT模塊封裝結構。

背景技術

IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低，在現(xiàn)代電力電子技術中得到了越來越廣泛的應用，在較高頻率的大、中功率應用中占據(jù)了主導地位。

平板型IGBT模塊主要應用于高壓直流輸變電領域，該模塊可用于多個模塊串聯(lián)，可實現(xiàn)積木堆棧結構、功率大等特點。在直流輸變電系統(tǒng)中，常將許多模塊串聯(lián)使用，也就是把模塊堆疊成一串，因此，每個模塊在機械結構上需要分散很大的力。而這種力主要集中在頂蓋、外殼、底板上，頂蓋、底板均為平板設計，那么壓力主要承受在外殼上，外殼設計的優(yōu)劣直接關系了模塊是否能夠承受很大的安裝力。

因此，針對上述技術問題，有必要提供一種平板型IGBT模塊封裝結構。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種平板型IGBT模塊封裝結構能夠簡單、方便、準確的實現(xiàn)模塊頂蓋、外殼和底板的組合連接。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例提供的技術方案如下：

一種平板型IGBT模塊封裝結構，包括平行設置的頂蓋和底板，所述封裝結構還包括安設于所述頂蓋和底板之間的外殼，所述外殼由若干邊框一體成型，邊框與頂蓋和底板形成用于收容IGBT模塊的收容空間，所述相連的邊框內(nèi)側設為圓角結構。

作為本發(fā)明的進一步改進，外殼與頂蓋和/或底板接觸面上設有凹槽，所述凹槽內(nèi)放置有均壓墊。

作為本發(fā)明的進一步改進，圓角結構設于凹槽內(nèi)側范圍。

作為本發(fā)明的進一步改進，頂蓋和底板設有若干相互對應的安裝孔，所述外殼上設有若干與所述安裝孔對應的垂直于所述頂蓋和底板的定位孔。

作為本發(fā)明的進一步改進，定位孔設于所述外殼邊框的兩端。

作為本發(fā)明的進一步改進，定位孔還設于所述外殼邊框的兩端之間，同一個邊框上的定位孔之間的距離相等。

作為本發(fā)明的進一步改進，外殼的一邊框上設有若干凹陷設置的安裝部。

作為本發(fā)明的進一步改進，安裝部上設有與頂蓋和底板平行的安裝孔。

本發(fā)明的有益效果是：平板型IGBT模塊封裝結構能夠簡單、方便、準確的實現(xiàn)模塊頂蓋、外殼和底板的組合連接。外殼中圓角結構的設計能夠有限分散該外殼在制作過程中產(chǎn)生的應力，有效地解決模塊在使用環(huán)境中的壓力分配及壓力均衡問題；外殼上凹槽的設計能夠放置均壓墊，起到均衡壓力的作用。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構的立體示意圖；

圖2為本發(fā)明一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構中外殼的立體結構示意圖；

圖3為本發(fā)明一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構中外殼的俯視結構示意圖；

圖4本發(fā)明一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構中外殼的局部結構示意圖；

圖5本發(fā)明另一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構中外殼的立體結構示意圖；

圖6本發(fā)明另一實施方式中平板型IGBT模塊封裝結構中外殼的局部結構示意圖。