[發明專利]包括匹配電容器對的半導體器件及形成一種電容器的方法以及形成電阻器的方法

有效

• 申請號: 201210371062.4
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103094070B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發明（設計）人: 陳向東;陳國順
• 申請（專利權）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/78
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司11240
• 代理人: 田喜慶

1.一種形成至少一種電容器的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底中形成鰭片結構，所述鰭片結構具有第一側面以及第二側面，所述第一側面以及所述第二側面相對于所述鰭片結構彼此相對；

在所述硅襯底中在所述第一側面附近形成第一溝槽并且在所述第二側面附近形成第二溝槽；

在所述第一溝槽以及所述第二溝槽內形成隔離層；

在所述第一側面附近形成第一絕緣體結構，并且在所述第二側面附近形成第二絕緣體結構；以及

在所述第一絕緣體結構附近形成第一導體結構，并且在所述第二絕緣體結構附近形成第二導體結構。

2.根據權利要求1所述的方法，其中第一電荷保持在所述第一導體結構與所述鰭片結構之間，而第二電荷保持在所述第二導體結構與所述鰭片結構之間。

3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括以下步驟：

在所述半導體襯底中形成第二鰭片結構，所述第二鰭片結構具有第三側面以及第四側面，所述第三側面和所述第四側面相對于所述第二鰭片結構彼此相對，所述第二鰭片結構還鄰近所述第一溝槽；并且在所述第三側面附近形成第三絕緣體結構。

4.根據權利要求3所述的方法，其中第三電荷保持在所述第一導體結構與所述第二鰭片結構之間。

5.根據權利要求3所述的方法，進一步包括在所述第二鰭片結構附近形成第三導體結構的步驟，所述第三導體結構機械地連接到所述第二導體結構上。

6.一種包括匹配電容器對的半導體器件，包括：

在半導體襯底中的鰭片結構，所述鰭片結構具有第一側面和第二側面，所述第一側面和所述第二側面相對于所述鰭片結構彼此相對；

在所述硅襯底中在所述第一側面附近的第一溝槽以及在所述第二側面附近的第二溝槽；

在所述第一溝槽以及所述第二溝槽內的隔離層；

在所述第一側面附近的第一絕緣體結構以及在所述第二側面附近的第二絕緣體結構；以及

在所述第一絕緣體結構附近的第一導體結構以及在所述第二絕緣體結構附近的第二導體結構。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述第一導體結構以及所述第二導體結構包括下面各項中至少一種：金屬、硅化物、以及多晶硅；并且所述第一絕緣體結構以及所述第二絕緣體結構包括下面各項中至少一種：高k電介質材料以及氧化物絕緣體材料。

8.一種形成電阻器的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底中形成至少一個鰭片結構，所述至少一個鰭片結構具有第一側面、第二側面、以及頂面，所述第一側面和所述第二側面相對于所述至少一個鰭片結構彼此相對；

在所述硅襯底中在所述第一側面以及所述第二側面附近形成至少一個溝槽；

在所述至少一個溝槽內形成隔離層；

在所述第一側面、所述第二側面、以及所述頂面附近形成絕緣體層；以及

在所述絕緣體層附近形成導體結構，其中所述導體結構橫過所述第一側面、所述第二側面、以及所述頂面。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述導體結構進一步包括摻雜的多晶硅以及金屬中的一種。

10.根據權利要求8所述的方法，進一步包括在所述半導體襯底中形成n-阱的步驟。