[發(fā)明專利]存取非易失性存儲(chǔ)器的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210370772.5
• 申請(qǐng)日: 2012-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN103578537A
• 公開（公告）日: 2014-02-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉亦峻;李忠勛;周銘宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 擎泰科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/06
• 分類號(hào): G11C16/06;G11C16/02
• 代理公司: 北京泛誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11298
• 代理人: 陳波;文琦

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有關(guān)于非易失性存儲(chǔ)器的技術(shù)，特別是涉及一種避免受到耦合效應(yīng)及異常行(bad?column)問題影響的存取非易失性存儲(chǔ)器的方法。

背景技術(shù)

快閃存儲(chǔ)器為一種非易失性存儲(chǔ)器元件，其可以電氣方式進(jìn)行抹除及寫入。傳統(tǒng)快閃存儲(chǔ)器可在每一存儲(chǔ)器單元內(nèi)儲(chǔ)存單一位的數(shù)據(jù)，因而每一存儲(chǔ)器單元具有兩種可能狀態(tài)。因此，將此種傳統(tǒng)快閃存儲(chǔ)器稱為單一位單元（single-bit?per?cell）快閃存儲(chǔ)器。現(xiàn)今快閃存儲(chǔ)器可在每一存儲(chǔ)器單元內(nèi)儲(chǔ)存兩位或多位的數(shù)據(jù)，因而每一存儲(chǔ)器單元具有兩個(gè)以上的可能狀態(tài)。此種快閃存儲(chǔ)器因此稱之為多位單元（multi-bit?per?cell）快閃存儲(chǔ)器。

圖1示出了與非門（NAND）快閃存儲(chǔ)器的示意圖，其中與非門（NAND）快閃存儲(chǔ)器包括由浮柵存儲(chǔ)器單元11所排列組合的陣列(n-by-m)。從字線WL0至字線WLn-1中選取位在列上的浮門存儲(chǔ)器單元。位在行上的浮柵存儲(chǔ)器單元11耦接漏極至源極，以形成對(duì)應(yīng)耦接至感測(cè)放大器的位線BL0至BLm-1。

當(dāng)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存密度增加和/或更多位儲(chǔ)存在單一單元中，則浮柵存儲(chǔ)器單元11間的電容耦合也會(huì)隨之增加。耦合效應(yīng)可以降低，例如，可通過使用位在存儲(chǔ)器控制器中的信號(hào)高頻濾波元件，或是在快閃存儲(chǔ)器中使用非單一快取存儲(chǔ)器容錯(cuò)設(shè)計(jì)(fault-tolerant?design)，但其整體所需的費(fèi)用高且系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜性高。

快閃存儲(chǔ)器一般可能具有一些缺陷位線，也就是位線上有一或多個(gè)浮柵存儲(chǔ)器單元不能正常工作，因此這些位線通常視作為異常行。異常行問題可以被解決，例如，通過在快閃存儲(chǔ)器中使用復(fù)制電路(replacement?circuit)，以使數(shù)據(jù)改向到快閃存儲(chǔ)器中的保留區(qū)域，然而如此將產(chǎn)生高成本的缺點(diǎn)。異常行問題的解決方式也可以是通過存儲(chǔ)器控制器，使得當(dāng)在存取快閃存儲(chǔ)器時(shí)，跳過缺陷位線。

傳統(tǒng)解決異常行問題的方法需要在最初時(shí)，將參數(shù)儲(chǔ)存到快閃存儲(chǔ)器中，并且須根據(jù)參數(shù)可適當(dāng)初始化以用于快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器控制器。然而，使用于存儲(chǔ)器控制器以解決由于快閃存儲(chǔ)器缺陷或不完善所產(chǎn)生的問題的參數(shù)，一開始即可能儲(chǔ)存在快閃存儲(chǔ)器的缺陷區(qū)域中。

因此，亟需提出具有高效率及高效益的存取非易失性存儲(chǔ)器的新穎方法。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述情況，本發(fā)明的一實(shí)施例提供一種避免受到耦合效應(yīng)及異常行(bad?column)問題影響，準(zhǔn)確的在非易失性存儲(chǔ)器存取數(shù)據(jù)的方法。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，以位級(jí)復(fù)制一數(shù)據(jù)的初始位，由此產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于每一初始位的多個(gè)復(fù)制位。在對(duì)應(yīng)于不同初始位的復(fù)制位之間提供至少一個(gè)屏蔽位。將復(fù)制位與至少一個(gè)屏蔽位燒錄至非易失性存儲(chǔ)器。之后，根據(jù)復(fù)制位來產(chǎn)生或決定數(shù)據(jù)的初始位。

附圖說明

圖1是示出與非門（NAND）快閃存儲(chǔ)器的示意圖;

圖2是示出存儲(chǔ)器系統(tǒng)的功能方框圖;

圖3是示出保護(hù)數(shù)據(jù)及保護(hù)碼的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的示例圖;

圖4A及圖4B是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例示出的一種存取非易失性存儲(chǔ)器的方法示意圖;

圖4C是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例示出一種燒錄多位單元快閃存儲(chǔ)器的方法示意圖;

圖4D是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例示出在燒錄多位單元快閃存儲(chǔ)器后的門限電壓分布圖;

圖5A是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例示出一種存取非易失性存儲(chǔ)器的方法示意圖;

圖5B及圖5C是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例示出的一種燒錄快閃存儲(chǔ)器的方法示意圖;

圖6A至圖6D是根據(jù)本發(fā)明的另一第二實(shí)施例示出一種燒錄非易失性存儲(chǔ)器的方法示意圖;

圖7A是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例示出一種存取非易失性存儲(chǔ)器的方法示意圖;

圖7B及圖7C是根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例示出一種燒錄非易失性存儲(chǔ)器的方法示意圖;

圖8A及圖8B是根據(jù)本發(fā)明的另一第三實(shí)施例示出一種燒錄非易失性存儲(chǔ)器的方法示意圖;

圖9A至圖9C是根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例示出一種燒錄非易失性存儲(chǔ)器的方法示意圖;以及

圖10是示出考慮異常行的存取非易失性存儲(chǔ)器的方法示意圖。

附圖標(biāo)號(hào)說明

11：浮柵存儲(chǔ)器單元

21：存儲(chǔ)器控制器

22：非易失性存儲(chǔ)器

具體實(shí)施方式