[發明專利]薄膜晶體管的制造方法及其制造的薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201210370615.4
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN102881653A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 鄭揚霖;蕭祥志
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供一基板；

步驟2、在基板上形成第一金屬層，并通過光罩制程形成柵極；

步驟3、在柵極上形成柵極絕緣層；

步驟4、在柵極絕緣層上形成氧化物半導體層，在氧化物半導體層上形成第二金屬層，該第二金屬層包括形成于氧化物半導體層上的鈦層及形成于鈦層上的銅層，并通過光罩制程形成數據線與源/漏極；

步驟5、在第二金屬層上形成透明導電層，并通過光罩制程圖案化該透明導電層，進而制得薄膜晶體管。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述基板為玻璃或塑膠基板。

3.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述鈦層的厚度小于12nm。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述氧化物半導體層含有氧化鋅、氧化錫、氧化銦及氧化鎵中至少一種。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述步驟4的光罩制程包括：

步驟4.11、在銅層上形成光阻層，通過曝光及濕蝕刻形成數據線，并在光阻層對應位置上形成溝道；

步驟4.12、用四氟化碳或六氟化硫對鈦層進行干蝕刻；

步驟4.13、用氧氣灰燼化溝道底部，以暴露銅層；

步驟4.14、用草酸對氧化物半導體層進行濕蝕刻；

步驟4.15、用銅酸對暴露的銅層進行濕蝕刻，以暴露鈦層；

步驟4.16、用四氟化碳或六氟化硫對暴露的鈦層進行干蝕刻，并去除光阻層，以形成源/漏極。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，所述步驟4的光罩制程包括：

步驟4.21、在銅層上形成光阻層，通過曝光及濕蝕刻形成數據線，并在光阻層對應位置上形成溝道；

步驟4.22、用四氟化碳或六氟化硫對鈦層進行干蝕刻；

步驟4.23、用氧氣灰燼化溝道底部，以暴露銅層；

步驟4.24、用草酸對氧化物半導體層進行濕蝕刻；

步驟4.25、用銅酸對暴露的銅層進行濕蝕刻，以暴露鈦層；

步驟4.26、用氧氣氧化銅層表面，于側壁形成氧化銅層；

步驟4.27、通過氯氣對暴露的鈦層進行干蝕刻，并去除光阻層，以形成源/漏極。

7.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：基板、形成于基板上的柵極、覆蓋柵極的柵極絕緣層、形成于柵極絕緣層上的氧化物半導體層、及形成于氧化物半導體層上的源/漏極，所述源/漏極包含有鈦層及形成于鈦層上的銅層。

8.如權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述基板為玻璃或塑膠基板。

9.如權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述鈦層的厚度小于12nm。

10.如權利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述氧化物半導體層含有氧化鋅、氧化錫、氧化銦及氧化鎵中至少一種。