[發明專利]一種硅鋅晶釉的制作方法

無效

• 申請號: 201210370498.1
• 申請日: 2012-09-29
• 公開（公告）號: CN102826757A
• 公開（公告）日: 2012-12-19
• 發明（設計）人: 楊夢雄
• 申請（專利權）人: 湖南泉湘陶瓷有限公司
• 主分類號: C03C8/14
• 分類號: C03C8/14
• 代理公司: 株洲市奇美專利商標事務所 43105
• 代理人: 肖美哲

1.一種硅鋅晶釉的制作方法，它包括配方配料—制作熔塊—球磨過篩—調制；其特征在于：

（1）配方配料

A、熔塊按以下重量份配方配料—硅鋅晶釉

硼砂40—50份，????鉀長石20—30份，?????石英10—30份；

B、釉料按以下重量份配方備料—

鉀長石20—35份，??氧化鈦10—20份，??氧化鋅10—20份；

膨潤土5—10份，???石英10—20份，????氧化鐵紅5—10份，

氧化銅1—5份；

（2）制作熔塊：將上述熔塊配料進行干法研磨，然后經過1250

℃燒制而制成熔塊備用；

（3）球磨過篩：將上述釉料配料采用濕法球磨，選定料:球:水

=1:2:0.5?，?并在100重量份的釉料中另加入5重量份的粘土，過250目篩，篩余小于0.3備用；

（4）調制：取上述熔塊粉碎物與球磨過篩的釉料，按波美度調至相同濃度，即各自調成濃度為40～50波美度漿料，然后按熔塊與釉料配比為1:1～1.8配比混拌調制，再進行濕法球磨料,選定料:球:水=1﹕1.8﹕0.7，釉料過325目篩，篩余物小于0.5；再調成為濃度為40～50波美度即得；

（5）燒制：采用噴釉的方式將釉噴于坯體上上釉，釉的厚度控制在1.1～1.5?mm，入輥道窯中于1180℃～1190℃的氧化氣氛下燒成。