[發(fā)明專利]一種超導磁體的升降場輔助裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210370399.3 | 申請日： | 2012-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN103714935A | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊磊;王超 | 申請（專利權(quán)）人： | 西門子(深圳)磁共振有限公司 |
| 主分類號： | H01F6/00 | 分類號： | H01F6/00;H01F6/04;G01R33/3815 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 518057 廣東省深圳*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 超導 磁體 升降 輔助 裝置 | ||
1.一種超導磁體的升降場輔助裝置，所述升降場輔助裝置的大小適于放入所述超導磁體的孔徑中，所述升降場輔助裝置包括一釋能部件，其中，所述釋能部件耦合所述超導磁體的電流。
2.如權(quán)利要求1所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述升降場輔助裝置的外表面緊貼所述超導磁體的孔徑的內(nèi)表面。
3.如權(quán)利要求1所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述釋能部件是實心圓柱體。
4.如權(quán)利要求1所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述釋能部件是空心圓柱體。
5.如權(quán)利要求4所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述釋能部件的內(nèi)壁包括多個凸起，所述凸起的位置與所述超導磁體的感應電流的分布對應。
6.如權(quán)利要求1所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述升降場輔助裝置還包括一冷卻部件，所述冷卻部件用于冷卻所述釋能部件。
7.如權(quán)利要求6所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述冷卻部件包括一制冷循環(huán)部件和一熱屏蔽層，其中所述釋能部件位于所述熱屏蔽層之內(nèi)，所述制冷循環(huán)部件對所述釋能部件進行制冷。
8.如權(quán)利要求7所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述制冷循環(huán)部件包括一制冷劑出口管和一制冷劑入口管。
9.如權(quán)利要求8所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述熱屏蔽層從里到外包括一內(nèi)殼、一制冷屏蔽層和一外殼，所述制冷劑出口管和所述制冷劑入口管穿過外殼和制冷屏蔽層與所述內(nèi)殼連通。
10.如權(quán)利要求9所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述冷卻部件還包括一第一支撐部件和一第二支撐部件，所述第一支撐部件用于在所述內(nèi)殼中支撐所述釋能部件，所述第二支撐部件用于在外殼中支撐所述內(nèi)殼。
11.如權(quán)利要求7所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述制冷循環(huán)部件包括一冷頭或一脈管制冷器。
12.如權(quán)利要求11所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述熱屏蔽層從里到外包括一制冷屏蔽層和一外殼，所述冷頭或所述脈管制冷器穿過所述外殼和所述制冷屏蔽層。
13.如權(quán)利要求13所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述冷卻部件還包括一第三支撐部件，所述第三支撐部件用于在外殼中支撐所述內(nèi)殼。
14.如權(quán)利要求1所述的升降場輔助裝置，其特征在于，所述釋能部件由導電弱磁性材料制成。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于西門子(深圳)磁共振有限公司，未經(jīng)西門子(深圳)磁共振有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201210370399.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
