[發明專利]電子器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201210370333.4
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103050477A
• 公開（公告）日: 2013-04-17
• 發明（設計）人: 神吉剛司;北田秀樹
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L23/532
• 分類號: H01L23/532;H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;董文國

1.一種電子器件，包括：

第一絕緣膜；

在所述第一絕緣膜的表面上的互連溝槽；

由Cu構成的互連圖案，所述互連圖案填充所述互連溝槽；

在所述互連圖案的表面上的金屬膜，所述金屬膜具有比Cu高的彈性模量；

在所述第一絕緣膜上的第二絕緣膜；以及

由Cu構成并且布置在所述第二絕緣膜中的通路塞，所述通路塞與所述金屬膜接觸。

2.根據權利要求1所述的電子器件，

其中所述互連圖案具有與所述第一絕緣膜的所述表面齊平的表面，并且所述互連圖案的所述表面在所述金屬膜周圍露出。

3.根據權利要求1所述的電子器件，

其中所述金屬膜具有與所述第一絕緣膜的所述表面齊平的表面。

4.根據權利要求1所述的電子器件，

其中所述金屬膜由選自Co、W、Ti、Ta和Ni中的至少一種金屬元素構成，或者

其中所述金屬膜由主要包含所述金屬元素的化合物構成。

5.根據權利要求1所述的電子器件，

其中所述金屬膜具有20nm至200nm的厚度。

6.一種制造電子器件的方法，包括：

在第一絕緣膜中形成互連溝槽；

在所述第一絕緣膜上形成Cu層，利用所述Cu層填充所述互連溝槽；

在所述Cu層上沉積金屬膜，所述金屬膜具有比Cu高的彈性模量；

利用所述金屬膜作為阻擋物，對所述Cu層進行化學機械拋光；

在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜以覆蓋所述金屬膜；以及

在所述第二絕緣膜中形成Cu通路塞以與所述金屬膜接觸。

7.根據權利要求6所述的方法，

其中實施所述Cu層的形成使得所述Cu層的在所述互連溝槽中的表面與所述第一絕緣膜的表面基本齊平。

8.一種制造電子器件的方法，包括：

在第一絕緣膜上形成光刻膠膜，所述光刻膠膜具有光刻膠開口部；

利用所述光刻膠膜作為掩模，通過鍍覆法在所述光刻膠開口部中形成Cu互連圖案；

在所述光刻膠膜上形成金屬膜以覆蓋所述Cu互連圖案，所述金屬膜具有比Cu高的彈性模量；

通過剝離工藝將所述光刻膠膜以及所述金屬膜的位于所述光刻膠膜上的部分一起移除；

在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜，以覆蓋所述Cu互連圖案和所述金屬膜；以及

在所述第二絕緣膜中形成Cu通路塞以與所述金屬膜接觸。

9.根據權利要求8所述的方法，

其中利用在所述第一絕緣膜上形成的Cu膜，通過所述鍍覆法實施所述Cu互連圖案的形成，所述Cu膜用作籽層，以及

其中在所述剝離工藝之后，所述方法還包括：利用所述Cu互連圖案與所述金屬膜作為掩模從所述第一絕緣膜的表面移除所述籽層。

10.根據權利要求6所述的方法，

其中所述金屬膜由選自Co、W、Ti、Ta和Ni中的至少一種金屬元素構成，或者

其中所述金屬膜由主要包含所述金屬元素的化合物構成。