[發明專利]一種通孔圖形的形成方法在審
| 申請號： | 201210369951.7 | 申請日： | 2012-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN102881566A | 公開（公告）日： | 2013-01-16 |
| 發明（設計）人： | 盧意飛 | 申請（專利權）人： | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/033 | 分類號： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吳世華;林彥之 |
| 地址： | 201210 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 圖形 形成 方法 | ||
1.一種通孔圖形的形成方法，其特征在于,所述方法包括如下步驟：
步驟S01:?在半導體襯底上沉積介質材料形成介質層，并在所述介質層上依次形成第一硬掩膜層和第二硬掩膜層；其中，所述第一硬掩膜層的材料不同于所述第二硬掩膜層的材料；
步驟S02：在所述第二硬掩膜層上涂布第一光阻膜層，光刻所述第一光阻膜層以形成具有第一通孔子圖形的第一光阻膜層；其中，所述第一通孔子圖形為網格狀圖形；
步驟S03：通過刻蝕工藝，用所述第一通孔子圖形圖案化所述第二硬掩膜層；
步驟S04：去除所述的第一光阻膜層；
步驟S05：在經上述步驟形成的結構表面涂布第二光阻膜層，光刻所述第二光阻膜層以形成具有第二通孔子圖形的第二光阻膜層；其中，所述第二通孔子圖形為網格狀圖形；
步驟S06:?通過刻蝕工藝，用所述第一通孔子圖形和第二通孔子圖形的疊加圖形圖案化所述第一硬掩膜層和介質層，在所述的介質層中形成通孔圖形；
步驟S07:?去除所述第二光阻膜層和第二硬掩膜層。
2.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一通孔子圖形和第二通孔子圖形均為正方形網格狀圖形。
3.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一通孔子圖形中的通孔線寬為所述介質層中通孔圖形的通孔線寬的2倍以上。
4.根據權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一通孔子圖形中的通孔線寬為所述介質層中通孔圖形的通孔線寬的3倍。
5.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一通孔子圖形中的圖形間距為所述介質層中通孔圖形的圖形間距的1.5倍以上。
6.根據權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一通孔子圖形中的圖形間距為所述介質層中通孔圖形的圖形間距的2倍。
7.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一通孔子圖形與所述第二通孔子圖形疊加圖形為刻蝕通孔圖案所用圖形。
8.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述介質層為二氧化硅層、低K介質層或超低K介電材料層。
9.根據權利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述低K介質層的材料為氟摻雜硅酸鹽玻璃。
10.根據權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S02中在所述第二硬掩膜層和第一光阻膜之間，還涂布一層底部抗反射膜層；所述步驟S05中，在所述第一硬掩膜層和第二光阻膜之間還涂布一層底部抗反射膜層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
