[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201210369919.9
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103035650A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 細(xì)田直宏;岡田大介;片山弘造
• 申請（專利權(quán)）人: 瑞薩電子株式會社
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L21/8247
• 代理公司: 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 李亞;穆德駿

1.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體基板；

第1柵電極，配置在所述半導(dǎo)體基板的上方；

第2柵電極，在所述半導(dǎo)體基板的上方配置成與所述第1柵電極相鄰；

第1絕緣膜，在所述第1柵電極與所述半導(dǎo)體基板之間形成；以及

第2絕緣膜，在所述第2柵電極與所述半導(dǎo)體基板之間以及所述第1柵電極與所述第2柵電極之間形成且在其內(nèi)部具有電荷儲存部，

所述第2絕緣膜具有：

第1膜；

第2膜，成為在所述第1膜上配置的所述電荷儲存部；以及

第3膜，配置在所述第2膜上，

所述第3膜具有：

側(cè)壁膜，位于所述第1柵電極與所述第2柵電極之間；以及

堆積膜，位于所述第2柵電極與所述半導(dǎo)體基板之間。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述堆積膜還延伸于所述側(cè)壁膜與所述第2柵電極之間。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述側(cè)壁膜具有其膜厚從其上方到下方變厚的錐形形狀。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述側(cè)壁膜的上部配置在比所述第2柵電極的上部低的位置。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

在所述第1柵電極上配置第3絕緣膜，

所述側(cè)壁膜的上部配置在比所述第3絕緣膜的上部低的位置。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述側(cè)壁膜的上部配置在比所述第1柵電極的上部低的位置。

7.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述側(cè)壁膜的側(cè)面與所述堆積膜的表面所構(gòu)成的角度為90°以上，所述堆積膜位于所述第2柵電極與所述半導(dǎo)體基板之間。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

位于所述第1柵電極與所述第2柵電極之間的所述第1膜的膜厚為2nm以下。

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

在所述電荷儲存部中儲存有電子，

將通過隧道效應(yīng)而在所述半導(dǎo)體基板中產(chǎn)生的空穴經(jīng)由位于所述第1柵電極與所述第2柵電極之間的所述第1膜而注入到所述電荷儲存部，從而擦除在所述電荷儲存部中儲存的電子。

10.一種半導(dǎo)體裝置，包括：

半導(dǎo)體基板；

第1柵電極，配置在所述半導(dǎo)體基板的上方；

第2柵電極，在所述半導(dǎo)體基板的上方配置成與所述第1柵電極相鄰；

第1絕緣膜，在所述第1柵電極與所述半導(dǎo)體基板之間形成；以及

第2絕緣膜，在所述第2柵電極與所述半導(dǎo)體基板之間以及所述第1柵電極與所述第2柵電極之間形成且在其內(nèi)部具有電荷儲存部，

所述第2絕緣膜具有：

第1膜；

第2膜，成為在所述第1膜上配置的所述電荷儲存部；以及

第3膜，配置在所述第2膜上，

在所述第1膜中，

與位于所述第2柵電極與所述半導(dǎo)體基板之間的第1部分的膜厚相比，位于所述第1柵電極與所述第2柵電極之間的第2部分的膜厚更厚，所述第2部分是位于所述第1部分的下方的膜，

在所述電荷儲存部中儲存有電子，

將通過隧道效應(yīng)而在所述半導(dǎo)體基板中產(chǎn)生的空穴經(jīng)由所述第1部分而注入到所述電荷儲存部，從而擦除在所述電荷儲存部中儲存的電子。

11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述第1膜具有：

側(cè)壁膜，位于所述第1柵電極與所述第2柵電極之間；以及

堆積膜，位于所述第2柵電極與所述半導(dǎo)體基板之間。

12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述堆積膜還延伸于所述側(cè)壁膜與所述第2柵電極之間。

13.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述側(cè)壁膜具有其膜厚從所述第1柵電極的上方到下方變厚的錐形形狀。

14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

所述側(cè)壁膜的上部配置在比所述第2柵電極的上部低的位置。