[發明專利]選擇性發射極電池的制備方法

有效

• 申請號: 201210369890.4
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN102881770A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 胡海波;楊偉光;賈財良;翁浩
• 申請（專利權）人: 英利能源（中國）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳貴明;張永明

1.一種選擇性發射極電池的制備方法，依次包括損傷層的去除及絨面制備、擴散制作p-n結、表面PSG的去除及周邊p-n結的去除、鈍化減反射層的制備、金屬化、以及分選，其特征在于，在所述擴散制作p-n結步驟與所述表面PSG的去除及周邊p-n結的去除步驟之間進一步包括激光摻雜制作選擇性發射極的步驟。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述激光摻雜制作選擇性發射極的步驟包括：

利用激光照射硅片上欲金屬化的區域，使所述區域內所摻雜的磷元素富集，形成所述選擇性發射極。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述激光的功率為40～60W，脈沖寬度為50～200ns，波長為532nm，頻率為0～260KHz，光斑的直徑為10×190μm或270×270μm。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述激光的照射時間為0.5～2s。

5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述擴散制作p-n結的步驟中控制所述硅片的擴散方阻在90～100歐姆。

6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，通過調整所述激光能量的大小及頻率控制經過所述激光輻射后的硅片方阻相對于所述激光輻照前降低35～45歐姆。