[發明專利]利用壓電聚合物的反滲透膜及其制備方法

有效

• 申請號: 201210369887.2
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103706260A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 李澤堂;郭竟
• 申請（專利權）人: 納米新能源（唐山）有限責任公司
• 主分類號: B01D69/10
• 分類號: B01D69/10;B01D67/00;B01D71/34;B01D61/02;C02F1/44
• 代理公司: 北京市浩天知識產權代理事務所 11276
• 代理人: 雒純丹;李郁

1.一種利用壓電聚合物的反滲透膜，其特征在于，該反滲透膜包括：層疊設置的支撐層和極化處理的壓電聚合物層，其中壓電聚合物層材料的壓電常數是10-60pC/N。

2.根據權利要求1所述的利用壓電聚合物的反滲透膜，其特征在于，所述壓電聚合物層材料的壓電常數是30-55pC/N。

3.根據權利要求1或2所述的利用壓電聚合物的反滲透膜，其特征在于，所述壓電聚合物層所用材料是極化處理的聚偏氟乙烯、聚三氟乙烯、尼龍-11、聚氯乙烯、聚丙烯腈、聚醋酸乙酯、聚（亞乙烯基氰/醋酸乙烯）、聚苯基氰基醚。

4.根據權利要求1-3任一項所述的利用壓電聚合物的反滲透膜，其特征在于，所述支撐層是第一無紡布層。

5.根據權利要求1-3任一項所述的利用壓電聚合物的反滲透膜，其特征在于，所述支撐層包括層疊設置的第一無紡布層和聚合物層，其中聚合物層位于極化處理的壓電聚合物層和第一無紡布層之間。

6.根據權利要求5所述的利用壓電聚合物的反滲透膜，其特征在于，所述聚合物層所用材料是聚砜、聚亞胺或聚偏氟乙烯。

7.根據權利要求1-5任一項所述的利用壓電聚合物的反滲透膜，其特征在于，該反滲透膜進一步包括第二無紡布層，其層疊設置在極化處理的壓電聚合物層上。

8.一種如權利要求1-7任一項所述反滲透膜的制備方法，該方法包括：

（1）漿料制備：將壓電聚合物層用聚合物制成漿料；

（2）極化處理并制成支撐層-壓電聚合物層的層疊體：將所述漿料涂覆在支撐層上，涂覆所述漿料時施加應力和電場進行極化處理，在極化溫度為60-95℃下極化處理50-70min得到支撐層-壓電聚合物層的層疊體；其中，應力方向為平行于壓電聚合物層方向，應力大小為0.1-2Mpa；電場方向為垂直于壓電聚合物層方向，電場強度為3-25Kv/m；

（3）冷卻：保持應力0.05-0.2Mpa和電場強度0.5-1.5kV/m條件下冷卻所得層疊體到室溫，得到反滲透膜。

9.一種如權利要求1-7任一項所述反滲透膜的制備方法，該方法包括：

（1）漿料制備：將壓電聚合物層用聚合物制成漿料；

（2）極化處理并制成支撐層-壓電聚合物層的層疊體：將所述漿料采用刮刀按照刮速為5-20mm/min涂覆在支撐層上，涂覆所述漿料時施加電場強度為5-15Kv/m電場進行極化處理50-70min，得到反滲透膜。

10.根據權利要求11所述的反滲透膜的制備方法，其特征在于，步驟（2）中，采用刮刀在支撐層上涂覆所述漿料，使得壓電聚合物層極化力始終沿接觸點方向相切。

11.根據權利要求8或9所述的反滲透膜的制備方法，其特征在于，所述壓電聚合物層所用材料是聚偏氟乙烯或聚三氟乙烯時，步驟（1）中，用N,N-二甲基甲酰胺溶解聚偏氟乙烯或聚三氟乙烯得到漿料。

12.根據權利要求8或9所述的反滲透膜的制備方法，其特征在于，在進行步驟（1）前，將聚偏氟乙烯或聚三氟乙烯用堿性溶液浸泡進行親水處理。

13.根據權利要求8-12任一項所述的反滲透膜的制備方法，其特征在于，所述支撐層是第一無紡布層；或者所述支撐層包括層疊設置的第一無紡布層和聚合物層。

14.根據權利要求8-13任一項所述的反滲透膜的制備方法，其特征在于，該方法進一步包括在極化處理的壓電聚合物層上層疊設置第二無紡布層。