[發(fā)明專利]一種多晶鑄錠爐及用其生長(zhǎng)多晶硅錠的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201210369883.4
• 申請(qǐng)日: 2012-09-28
• 公開（公告）號(hào): CN102877127A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黎志欣;郭大偉;王軍;王楠
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京京運(yùn)通科技股份有限公司
• 主分類號(hào): C30B28/06
• 分類號(hào): C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 北京遠(yuǎn)大卓悅知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11369
• 代理人: 史霞

1.一種用多晶鑄錠爐生長(zhǎng)多晶硅錠的方法，其特征在于，包括：

1)在坩堝內(nèi)鋪設(shè)硅料，將坩堝裝入多晶鑄錠爐內(nèi)；

2)將所述多晶鑄錠爐抽真空、檢漏，檢漏通過(guò)后，開始加熱；

3)達(dá)到規(guī)定溫度1175-1560℃之間后，進(jìn)入熔化過(guò)程，同時(shí)向所述多晶鑄錠爐充入氬氣，所需氬氣壓力為0.1-0.8MPa；

4)當(dāng)硅料完全熔化后，進(jìn)入長(zhǎng)晶過(guò)程，長(zhǎng)晶溫度控制在1400-1480℃之間，并按設(shè)定值來(lái)提升隔熱裝置，以此控制長(zhǎng)晶速度為0-45mm/h之間，期間通過(guò)所述爐體的水冷系統(tǒng)對(duì)所述容器進(jìn)行冷卻，所需冷卻水壓差為0.2-0.3MPa，水流量為140-220L/min；

5)當(dāng)硅液完全凝固至固體后，進(jìn)入退火過(guò)程，以降低硅錠內(nèi)部應(yīng)力，完成退火過(guò)程后，進(jìn)入冷卻過(guò)程，使硅錠冷卻，降溫至400℃以內(nèi)，冷卻結(jié)束后，硅錠出爐。

2.如權(quán)利要求1所述的用多晶鑄錠爐生長(zhǎng)多晶硅錠的方法，其特征在于，在多晶硅錠的生長(zhǎng)過(guò)程中所需的壓縮空氣壓力為0.1-0.7MPa。

3.如權(quán)利要求1所述的用多晶鑄錠爐生長(zhǎng)多晶硅錠的方法，其特征在于，所述步驟2)中所需的供電電壓為360-480V，通過(guò)變壓器變壓至24-28V，給加熱裝置進(jìn)行供電。

4.如權(quán)利要求1所述的用多晶鑄錠爐生長(zhǎng)多晶硅錠的方法，其特征在于，所述步驟4)中冷卻水壓差為0.25MPa，水流量為180L/min。

5.一種生長(zhǎng)多晶硅錠的多晶鑄錠爐，其特征在于，所述的多晶鑄錠爐的隔熱裝置的側(cè)隔熱層與頂隔熱層厚度在40-120mm之間，側(cè)隔熱層形成方形的保溫圈，保溫圈大小在1230-1650mm之間，高度在1350-1650mm之間。

6.一種生長(zhǎng)多晶硅錠的多晶鑄錠爐，其特征在于，所述的多晶鑄錠爐的坩堝的橫截面為正方形，邊長(zhǎng)為1100-1300mm，高為420-600mm。

7.一種生長(zhǎng)多晶硅錠的多晶鑄錠爐，其特征在于，所述的多晶鑄錠爐的爐膛內(nèi)徑為2000-2500mm。