[發明專利]一種多晶鑄錠爐及用其生長多晶硅錠的方法

有效

• 申請號: 201210369883.4
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN102877127A
• 公開（公告）日: 2013-01-16
• 發明（設計）人: 黎志欣;郭大偉;王軍;王楠
• 申請（專利權）人: 北京京運通科技股份有限公司
• 主分類號: C30B28/06
• 分類號: C30B28/06;C30B29/06
• 代理公司: 北京遠大卓悅知識產權代理事務所(普通合伙) 11369
• 代理人: 史霞

1.一種用多晶鑄錠爐生長多晶硅錠的方法，其特征在于，包括：

1)在坩堝內鋪設硅料，將坩堝裝入多晶鑄錠爐內；

2)將所述多晶鑄錠爐抽真空、檢漏，檢漏通過后，開始加熱；

3)達到規定溫度1175-1560℃之間后，進入熔化過程，同時向所述多晶鑄錠爐充入氬氣，所需氬氣壓力為0.1-0.8MPa；

4)當硅料完全熔化后，進入長晶過程，長晶溫度控制在1400-1480℃之間，并按設定值來提升隔熱裝置，以此控制長晶速度為0-45mm/h之間，期間通過所述爐體的水冷系統對所述容器進行冷卻，所需冷卻水壓差為0.2-0.3MPa，水流量為140-220L/min；

5)當硅液完全凝固至固體后，進入退火過程，以降低硅錠內部應力，完成退火過程后，進入冷卻過程，使硅錠冷卻，降溫至400℃以內，冷卻結束后，硅錠出爐。

2.如權利要求1所述的用多晶鑄錠爐生長多晶硅錠的方法，其特征在于，在多晶硅錠的生長過程中所需的壓縮空氣壓力為0.1-0.7MPa。

3.如權利要求1所述的用多晶鑄錠爐生長多晶硅錠的方法，其特征在于，所述步驟2)中所需的供電電壓為360-480V，通過變壓器變壓至24-28V，給加熱裝置進行供電。

4.如權利要求1所述的用多晶鑄錠爐生長多晶硅錠的方法，其特征在于，所述步驟4)中冷卻水壓差為0.25MPa，水流量為180L/min。

5.一種生長多晶硅錠的多晶鑄錠爐，其特征在于，所述的多晶鑄錠爐的隔熱裝置的側隔熱層與頂隔熱層厚度在40-120mm之間，側隔熱層形成方形的保溫圈，保溫圈大小在1230-1650mm之間，高度在1350-1650mm之間。

6.一種生長多晶硅錠的多晶鑄錠爐，其特征在于，所述的多晶鑄錠爐的坩堝的橫截面為正方形，邊長為1100-1300mm，高為420-600mm。

7.一種生長多晶硅錠的多晶鑄錠爐，其特征在于，所述的多晶鑄錠爐的爐膛內徑為2000-2500mm。