[發明專利]雙面光刻機的對位結構及對位方法

有效

• 申請號: 201210369733.3
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103713477A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 徐春云
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: G03F9/00
• 分類號: G03F9/00;G03F7/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種雙面光刻機的對位結構，其特征在于，所述對位結構包括“+”字型的主對位標記及若干對稱設于主對位標記上下左右的輔助對位標記，所述“+”字型的主對位標記由水平主對位標記和垂直主對位標記垂直交叉形成，所述輔助對位標記為階梯狀，每個輔助對位標記由若干寬度相同、長度成等差數列的長方形組成。

2.根據權利要求1所述的對位結構，其特征在于，所述輔助對位標記設置為八個，主對位標記上下左右分別設有兩個輔助對位標記，所述兩個輔助對位標記沿水平主對位標記或垂直主對位標記的對稱軸線對稱設置。

3.根據權利要求2所述的對位結構，其特征在于，所述每個輔助對位標記中的相鄰的兩個長方形有一條邊在同一條直線上，且同一個輔助對位標記中所有長方形的與長垂直的對稱軸線為同一條直線。

4.根據權利要求1所述的對位結構，其特征在于，所述主對位標記的水平主對位標記和垂直主對位標記均為長方形，長度均設為100μm，寬度均設為20μm。

5.根據權利要求1或3所述的對位結構，其特征在于，所述輔助對位標記中長方形的寬度設為10μm，長度為公差等于2μm的等差數列。

6.根據權利要求5所述的對位結構，其特征在于，所述輔助對位標記中長度最小的長方形與主對位標記的水平距離或垂直距離最大，且輔助對位標記中長方形的最小長度設為8μm。

7.根據權利要求6所述的對位結構，其特征在于，所述輔助對位標記與主對位標記的水平距離或垂直距離設為40μm，相鄰的兩個輔助對位標記的水平距離或垂直距離設為8μm。

8.一種如權利要求1所述的雙面光刻機中對位結構的對位方法，其特征在于，所述方法包括：

S1、通過CCD成像系統獲取靜態掩膜版上的左右兩個對位結構，并通過圖像采集系統采集圖像數據并通過計算機進行對位結構的處理、定位及顯示，其中，所述對位結構包括“+”字型的主對位標記及若干對稱設于主對位標記上下左右的輔助對位標記，所述“+”字型的主對位標記由水平主對位標記和垂直主對位標記垂直交叉形成，所述輔助對位標記為階梯狀，輔助對位標記由若干寬度相同、長度成等差數列的長方形組成；

S2、將圓片放置于掩膜版上，調節圓片的位置，使圓片上的左右兩個對位結構與掩膜版上的左右兩個對位結構重合，完成圓片的正面曝光；

S3、翻轉圓片放置于掩膜版上，調節圓片的位置，使圓片上的左右兩個對位結構與計算機中記錄的掩膜版上左右兩個對位結構重合，完成圓片的背面曝光。