[發明專利]使用了氧化物半導體的薄膜晶體管的制造方法及制造裝置

無效

• 申請號: 201210369484.8
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103035531A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發明（設計）人: 大和田樹志;加藤晃;森純一郎;鈴木信二
• 申請（專利權）人: 優志旺電機株式會社
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳建全

1.一種薄膜晶體管的制造方法，其是在基板上至少形成有柵極電極、源極電極、漏極電極、半導體層、柵極絕緣膜、且所述半導體層由非晶金屬氧化物構成的薄膜晶體管的制造方法，其特征在于，其包含：

在含有氧的氣氛中，

對基板上設置的所述氧化物，

照射包含生成活性氧的波長范圍和將所述氧化物活化而除去混入所述氧化物中的氫的波長范圍的光的工序A；和

在混入所述氧化物中的氫被除去且在所述氧化物附近生成了活性氧的狀態下、照射包含將所述氧化物加熱的波長范圍的光以促進氧向所述氧化物內的擴散的工序B。

2.一種薄膜晶體管的制造裝置，其是在基板上至少形成有柵極電極、源極電極、漏極電極、半導體層、柵極絕緣膜、且所述半導體層由非晶金屬氧化物構成的薄膜晶體管的制造裝置，其特征在于，包含：

對保持在含有氧的氣氛中的所述薄膜晶體管進行光照射的至少1個第1燈、對所述薄膜晶體管進行光照射的至少1個第2燈、將從所述第1燈及第2燈放出的光反射至所述薄膜晶體管的反射鏡、以及向所述第1燈及第2燈提供電力的供電裝置，

所述第1燈是對基板上設置的所述氧化物放出包含生成活性氧的波長范圍和將所述氧化物活化而除去混入所述氧化物中的氫的波長范圍的光的燈；

所述第2燈是對基板上設置的所述氧化物、在混入所述氧化物中的氫被除去且在所述氧化物附近生成了活性氧的狀態下、照射包含將所述氧化物加熱的波長范圍的光以促進氧向所述氧化物內的擴散的燈。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管的制造裝置，其特征在于，

所述第1燈是放出包含波長為230nm以下的波長范圍的光的稀有氣體螢光燈，

所述第2燈是放出包含波長為800nm以上的波長范圍的光的閃光燈。

4.根據權利要求3所述的薄膜晶體管的制造裝置，其特征在于，

所述薄膜晶體管的制造裝置具有以從閃光燈放出的光不會照射到稀有氣體螢光燈的方式進行遮光的遮光手段。

5.根據權利要求4所述的薄膜晶體管的制造裝置，其特征在于，

所述遮光手段是包圍稀有氣體螢光燈的一部分的第2反射鏡。

6.根據權利要求4所述的薄膜晶體管的制造裝置，其特征在于，

所述遮光手段是設在所述反射鏡的反射面的一部分上的突起部，

所述第1燈及第2燈中的一方以被所述突起部包圍的方式配置，

所述第1燈及第2燈中的另一方配置在與所述反射鏡的非突起部的平坦的反射面相向的位置上，

突起部的形狀、以及被該突起部包圍的一方的燈的配置位置、與反射鏡的非突起部的平坦的反射面相向的另一方的燈的配置位置以從一方的燈放射的光不會照射到另一方的燈的方式來決定。

7.根據權利要求2所述的薄膜晶體管的制造裝置，其特征在于，

所述第1燈是放出包含波長為230nm以下的波長范圍的光的閃光燈，

所述第2燈是放出包含波長為800nm以上的波長范圍的光的閃光燈。