[發明專利]一種晶體硅鑄錠用坩堝氮化硅涂層的制作方法

有效

• 申請號: 201210369325.8
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN102898034A
• 公開（公告）日: 2013-01-30
• 發明（設計）人: 黃新明;尹長浩;周海萍;鐘根香
• 申請（專利權）人: 東海晶澳太陽能科技有限公司;南京工業大學
• 主分類號: C03C17/22
• 分類號: C03C17/22
• 代理公司: 廣州知友專利商標代理有限公司 44104
• 代理人: 李海波

1.一種晶體硅鑄錠用坩堝氮化硅涂層的制作方法，其特征是：采用液相沉積的方法在坩堝內壁的易粘堝區域制得氮化硅涂層后，對該區域氮化硅涂層進行致密化和非浸潤性處理，并采用液相沉積的方法在坩堝內壁的其它區域制得氮化硅涂層，最后將氮化硅涂層進行低溫烘烤或免燒結處理，獲得晶體硅鑄錠用坩堝氮化硅涂層。

2.根據權利要求1所述的晶體硅鑄錠用坩堝氮化硅涂層的制作方法，其特征是：所述坩堝內壁的易粘堝區域主要為坩堝的硅液線區域以及坩堝內部的棱、角區域。

3.根據權利要求1或2所述的晶體硅鑄錠用坩堝氮化硅涂層的制作方法，其特征是：制得氮化硅涂層的方式為：直接將氮化硅漿料涂布在坩堝內壁的易粘堝區域或坩堝內壁的其它區域，氮化硅漿料中氮化硅顆粒自動沉積，將氮化硅漿料涂布于坩堝的內壁上。

4.根據權利要求3所述的晶體硅鑄錠用坩堝氮化硅涂層的制作方法，其特征是：所述氮化硅漿料由氮化硅粉末、純水和粘結劑按重量份比為100:70~450:0.1~15配制而成。

5.根據權利要求4所述的晶體硅鑄錠用坩堝氮化硅涂層的制作方法，其特征是：所述粘結劑為甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸、聚乙烯醇和膠體二氧化硅中的一種或幾種。

6.根據權利要求1或2所述的晶體硅鑄錠用坩堝氮化硅涂層的制作方法，其特征是：所述致密化處理為：在坩堝的易粘堝區域的氮化硅漿料的干燥過程中，通過攪動、振動或擠壓機械作用使坩堝易粘堝區域的氮化硅顆粒呈致密化排列，獲得致密化氮化硅涂層。

7.根據權利要求1或2所述的晶體硅鑄錠用坩堝氮化硅涂層的制作方法，其特征是：所述非浸潤性處理為對致密化的氮化硅涂層表面進行表面打磨、拋光及吸附干燥氮化硅粉，獲得非浸潤性氮化硅涂層。

8.根據權利要求1或2所述的晶體硅鑄錠用坩堝氮化硅涂層的制作方法，其特征是：低溫烘烤處理時的溫度為低于500℃。