[發明專利]蓄電裝置有效
| 申請號： | 201210368578.3 | 申請日： | 2012-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN103035880B | 公開（公告）日： | 2016-11-09 |
| 發明（設計）人： | 長多剛;田島亮太;小國哲平;山崎舜平 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01M4/134 | 分類號： | H01M4/134;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;朱海煜 |
| 地址： | 日本神奈*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 裝置 | ||
1.?一種包括負極的蓄電裝置，該負極包括：
集電體；以及
所述集電體上的活性物質層，
其中，多個空洞形成在所述活性物質層的表面中。
2.?根據權利要求1所述的蓄電裝置，其中所述多個空洞以規則的間隔配置。
3.?根據權利要求1所述的蓄電裝置，其中所述多個空洞以不規則的間隔配置。
4.?根據權利要求1所述的蓄電裝置，其中所述多個空洞以矩陣狀配置。
5.?根據權利要求1所述的蓄電裝置，其中所述多個空洞以線狀配置。
6.?根據權利要求1所述的蓄電裝置，其中當從上方看所述負極時，所述多個空洞分別被所述活性物質層圍繞。
7.?根據權利要求1所述的蓄電裝置，其中所述空洞具有相同的形狀。
8.?根據權利要求1所述的蓄電裝置，其中所述空洞分別具有狹縫狀。
9.?根據權利要求1所述的蓄電裝置，其中所述活性物質層具有蜂窩結構。
10.?根據權利要求1所述的蓄電裝置，其中所述活性物質層具有桁架結構。
11.?根據權利要求1所述的蓄電裝置，其中所述活性物質層包含硅。
12.?根據權利要求1所述的蓄電裝置，其中所述活性物質層被石墨烯覆蓋。
13.?根據權利要求1所述的蓄電裝置，其中所述蓄電裝置內置在電子設備中。
14.?一種包括負極的蓄電裝置，該負極包括：
集電體；以及
活性物質層，該活性物質層包括所述集電體上的共通部及從所述共通部突出的突出部，
其中，多個空洞形成在所述活性物質層中。
15.?根據權利要求14所述的蓄電裝置，其中所述多個空洞以規則的間隔配置。
16.?根據權利要求14所述的蓄電裝置，其中所述多個空洞以不規則的間隔配置。
17.?根據權利要求14所述的蓄電裝置，其中所述多個空洞以矩陣狀配置。
18.?根據權利要求14所述的蓄電裝置，其中所述多個空洞以線狀配置。
19.?根據權利要求14所述的蓄電裝置，其中當從上方看所述負極時，所述多個分別空洞被所述活性物質層圍繞。
20.?根據權利要求14所述的蓄電裝置，其中所述空洞具有相同的形狀。
21.?根據權利要求14所述的蓄電裝置，其中所述空洞分別具有狹縫狀。
22.?根據權利要求14所述的蓄電裝置，其中所述突出部具有蜂窩結構。
23.?根據權利要求14所述的蓄電裝置，其中所述突出部具有桁架結構。
24.?根據權利要求14所述的蓄電裝置，其中所述活性物質層包含硅。
25.?根據權利要求14所述的蓄電裝置，其中所述活性物質層被石墨烯覆蓋。
26.?根據權利要求14所述的蓄電裝置，其中所述蓄電裝置內置在電子設備中。
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