[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置及其制造方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201210368465.3
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103035736A
• 公開（公告）日: 2013-04-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山崎舜平;早川昌彥;筱原聰始
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L27/12
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 何欣亭;朱海煜

1.?一種半導(dǎo)體裝置，包括：

絕緣表面上的柵電極層；

所述柵電極層上的柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上包含溝道形成區(qū)的氧化物半導(dǎo)體膜；

接觸于所述氧化物半導(dǎo)體膜上的絕緣層；

在所述絕緣層上具有端部的源電極層；以及

在所述絕緣層上具有端部的漏電極層，

其中所述源電極層的端部及所述漏電極層的端部隔著所述絕緣層重疊于所述溝道形成區(qū)，

所述絕緣層的端部的側(cè)面和所述絕緣表面形成的角度為60°以下，

并且所述絕緣層的厚度為0.3μm以下。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述絕緣層的厚度為5nm以上且0.1μm以下。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述漏電極層的端部重疊于所述絕緣層的上表面。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述漏電極層的端部重疊于所述絕緣層的端部的側(cè)面。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述絕緣層的截面形狀為梯形。

6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述絕緣層的截面形狀為三角形。

7.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述絕緣層的截面形狀的至少一部分具有曲面的形狀。

8.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體膜包括選自銦、鎵及鋅中的至少一種。

9.?一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的顯示模塊，包括FPC及框體中的至少一個。

10.?一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備，包括顯示部、電池及操作鍵中的至少一個。

11.?一種半導(dǎo)體裝置，包括：

絕緣表面上的柵電極層；

所述柵電極層上的柵極絕緣膜；

在所述柵極絕緣膜上包含溝道形成區(qū)的氧化物半導(dǎo)體膜；

接觸于所述氧化物半導(dǎo)體膜上的絕緣層；

在所述絕緣層上具有端部的源電極層；以及

在所述絕緣層上具有端部的漏電極層，

其中所述源電極層的端部及所述漏電極層的端部隔著所述絕緣層重疊于所述溝道形成區(qū)，

所述絕緣層的端部的側(cè)面和所述絕緣表面形成的角度為30°以下，

并且所述絕緣層的厚度為0.3μm以下。

12.?根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述絕緣層的厚度為5nm以上且0.1μm以下。

13.?根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述漏電極層的端部重疊于所述絕緣層的上表面。

14.?根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述漏電極層的端部重疊于所述絕緣層的端部的側(cè)面。

15.?根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述絕緣層的截面形狀為梯形。

16.?根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述絕緣層的截面形狀為三角形。

17.?根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述絕緣層的截面形狀的至少一部分具有曲面的形狀。

18.?根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述氧化物半導(dǎo)體膜包括選自銦、鎵及鋅中的至少一種。

19.?一種包括根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的顯示模塊，包括FPC及框體中的至少一個。

20.?一種包括根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置的電子設(shè)備，包括顯示部、電池及操作鍵中的至少一個。