[發明專利]RF開關電路、RF開關以及用于切換RF信號的方法有效
| 申請號: | 201210368257.3 | 申請日: | 2012-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN103036549A | 公開(公告)日: | 2013-04-10 |
| 發明(設計)人: | T.貝特納;H.塔迪肯 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/693 | 分類號: | H03K17/693 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 胡莉莉;盧江 |
| 地址: | 德國瑙伊比*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | rf 開關電路 開關 以及 用于 切換 信號 方法 | ||
1.一種用于切換RF信號的RF開關電路,其中所述RF開關電路包括:
第一端子和第二端子;
在所述RF開關電路的第一端子與所述RF開關電路的第二端子之間的多個晶體管的串聯連接;以及
控制電路,所述控制電路被配置來:在所述RF開關電路的高阻抗狀態下,把所述RF開關電路的第一端子導電地耦合到在多個晶體管的串聯連接的串中的第一晶體管的控制端子,并且把所述RF開關電路的第二端子導電地耦合到在多個晶體管的串聯連接的串中的最后晶體管的控制端子。
2.根據權利要求1所述的RF開關電路,
其中,所述RF開關電路的第一端子被耦合到第一晶體管的第一端子,或者所述RF開關電路的第一端子由第一晶體管的第一端子形成,使得,在所述RF開關電路的高阻抗狀態下,第一晶體管的控制端子和第一晶體管的第一端子被短路;并且
其中,所述RF開關電路的第二端子被耦合到最后晶體管的第二端子,或者所述RF開關電路的第二端子由最后晶體管的第二端子形成,使得,在所述RF開關電路的高阻抗狀態下,最后晶體管的控制端子和最后晶體管的第二端子被短路。
3.根據權利要求1所述的RF開關電路,
其中,控制電路被配置來:在所述RF開關電路的高阻抗狀態下,用正電源電勢給第一晶體管的第二端子和最后晶體管的第一端子加偏壓。
4.根據權利要求3所述的RF開關電路,
其中,控制電路進一步被配置來:在所述RF開關電路的高阻抗狀態下,用正電源電勢給被布置在第一晶體管與最后晶體管之間的串聯連接中的多個晶體管的晶體管的第一端子和第二端子加偏壓。
5.根據權利要求3所述的RF開關電路,
其中,控制電路被配置來:在所述RF開關電路的低阻抗狀態下,把第一晶體管的第二端子和最后晶體管的第一端子帶入不加偏壓的狀態。
6.根據權利要求5所述的RF開關電路,
其中,控制電路進一步被配置來:在所述RF開關電路的低阻抗狀態下,把被布置在第一晶體管與最后晶體管之間的串聯連接中的多個晶體管中的晶體管的第一端子和第二端子帶入不加偏壓的狀態。
7.根據權利要求1所述的RF開關電路,
其中,在所述RF開關電路的高阻抗狀態和所述RF開關電路的低阻抗狀態下,多個晶體管的襯底的襯底端子被導電地耦合到所述RF開關電路的地端子,在所述地端子上提供地電勢。
8.根據權利要求1所述的RF開關電路,
其中,控制電路被配置來:在所述RF開關電路的低阻抗狀態下,使所述RF開關電路的第一端子與第一晶體管的控制端子導電地解耦,并且使RF開關電路的第二端子與最后晶體管的控制端子導電地解耦。
9.根據權利要求1所述的RF開關電路,
其中,控制電路被配置來:在所述RF開關電路的高阻抗狀態下,將正偏壓電勢施加到第一晶體管的第二端子;并且
其中,正偏壓電勢被選擇,使得在第一晶體管的第一端子上的最大RF信號電勢與正偏壓電勢之間的差小于第一晶體管的閾值電壓。
10.根據權利要求9所述的RF開關電路,
其中,控制電路進一步被配置來:在所述RF開關電路的高阻抗狀態下,將正偏壓電勢施加到最后晶體管的第一端子,并且將其它偏壓電勢施加到第一晶體管的控制端子和施加到最后晶體管的控制端子;并且
其中,所述正偏壓電勢被選擇,使得在正偏壓電勢和最后晶體管的第一端子上的最小RF信號電勢之和與其它偏壓電勢之間的差小于最后晶體管的閾值電壓。
11.根據權利要求10所述的RF開關電路,
其中,所述其它偏壓電勢是地電勢。
12.根據權利要求1所述的RF開關電路,
其中,控制電路被配置來:在所述RF開關電路的高阻抗狀態下,將地電勢施加到最后晶體管的第二端子。
13.根據權利要求1所述的RF開關電路,
進一步包括被連接在最后晶體管的第二端子與所述RF開關電路的地電勢端子之間的其它多個晶體管的其它串聯連接,在所述地電勢端子上提供地電勢。
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