[發明專利]應用于外延工藝的光刻標記及方法

有效

• 申請號: 201210367921.2
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103700649A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 王雷;蘇波;李偉峰;程晉廣
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/311;G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 孫大為

1.一種應用于外延工藝的光刻標記，其特征在于，光刻標記被放置在介質層中，且任何一個外邊界或外界面均被外延難以生長的介質層所包圍。

2.如權利要求1所述的應用于外延工藝的光刻標記，其特征在于，外延生長時很難在介質層上生長，生長速率與襯底層上的生長速率相比較小。

3.如權利要求1或2所述的應用于外延工藝的光刻標記，其特征在于，介質層可以氧化物或者氮化物。

4.如權利要求3所述的應用于外延工藝的光刻標記，其特征在于，外延成長后，介質層與非介質層上外延生長厚度差≥200埃。

5.如權利要求4所述的應用于外延工藝的光刻標記，其特征在于，整個光刻標記均被介質層區域包圍。

6.一種產生應用于外延工藝的光刻標記的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、刻蝕硅基板形成一個面積較大的溝槽；

步驟2、沉積或通過熱氧化在溝槽中填充介質層，形成光刻標記的基底；

步驟3、在基底區域內刻蝕介質層形成光刻標記，光刻標記被放置在介質層中，且任何一個外邊界或外界面均被外延難以生長的介質層所包圍。

7.如權利要求6所述的應用于外延工藝的光刻標記，其特征在于，步驟3中的介質層刻蝕深度≥500埃。

8.如權利要求7所述的應用于外延工藝的光刻標記，其特征在于，步驟3中的介質層刻蝕深度≥200埃，且小于后續外延生長厚度的1/2×選擇比，選擇比為介質層與非介質層區域外延生長厚度的比率。

9.如權利要求8所述的應用于外延工藝的光刻標記，其特征在于，光刻標記禁止區域≥外延生長時從硅區域向介質區域延伸長度的2倍以上。