[發(fā)明專利]一種解決曝光不足引起的曝光區(qū)域缺陷的方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201210367794.6 | 申請日： | 2012-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN102866581A | 公開（公告）日： | 2013-01-09 |
| 發(fā)明（設計）人： | 周耀輝 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/00 | 分類號： | G03F7/00;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 馬曉亞 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 解決 曝光 不足 引起 區(qū)域 缺陷 方法 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.一種解決曝光不足引起的曝光區(qū)域缺陷的方法，其特征在于，該方法包括：
在曝光工序通過降低曝光能量而增大實際形成的臨界尺寸；
在蝕刻工序先利用等離子體去除待蝕刻層上的光刻膠殘留物，再繼續(xù)對所述待蝕刻層進行蝕刻。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光工序中掩膜版的臨界尺寸小于產(chǎn)品所需的臨界尺寸。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體為氧氣和氯氣的混合氣體。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體為氧氣和溴化氫的混合氣體。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體對光刻膠的蝕刻速率為
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體對光刻膠與所述待蝕刻層的選擇比至少為20:1。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述等離子體將光刻膠殘留物氧化分解為水蒸汽、一氧化碳和二氧化碳。
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