[發明專利]一種發光二極管及其制造方法

有效

• 申請號: 201210367771.5
• 申請日: 2012-09-28
• 公開（公告）號: CN103700735A
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 朱廣敏;郝茂盛;齊勝利;潘堯波;張楠;陳誠;袁根如;李士濤
• 申請（專利權）人: 上海藍光科技有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/04;H01L33/10
• 代理公司: 上海光華專利事務所 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種發光二極管的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步驟：

1）提供一半導體襯底，于所述半導體襯底表面沉積至少包括N型層、量子阱層及P型層的發光外延結構；

2）于所述P型層表面蒸鍍或濺射透明導電層，并對該透明導電層進行退火；

3）刻蝕所述透明導電層、P型層及量子阱層以形成N電極制備區域；

4）刻蝕所述透明導電層，以在欲制備P電極的區域形成一直至所述P型層的刻蝕窗口；

5）于所述刻蝕窗口制作反射鏡；

6）制作P電極，使該P電極覆蓋所述反射鏡表面并與所述透明導電層形成歐姆接觸接觸，并于所述N電極制備區域制備N電極。

2.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：步驟1）中所述的半導體襯底為藍寶石襯底，所述N型層為N-GaN層，所述量子阱層為InGaN層，所述P型層為P-GaN層。

3.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述透明導電層為ITO、ATO、FTO或AZO。

4.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述反射鏡的垂直反射率大于70%。

5.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述反射鏡的材料為Al層、Ag層、Al層-Au層-Ni層疊層、Ag層-Au層-Ni層疊層、Al層-SiO₂層疊層或Ag層-SiO₂疊層。

6.根據權利要求1所述的發光二極管的制造方法，其特征在于：所述步驟6）以后還包括從下表面減薄所述半導體襯底，并于該半導體襯底下表面制作背鍍反射層的步驟。

7.一種發光二極管，其特征在于，至少包括：

半導體襯底，其下表面結合有背鍍反射層；

發光外延結構，至少包括依次層疊于所述半導體襯底上表面的N型層、量子阱層、P型層，且所述N型層表面具有N電極制備區域；

透明導電層，結合于所述P型層表面，且具有一刻蝕窗口；

反射鏡，填充于所述刻蝕窗口；

P電極，覆蓋于所述發射鏡表面且與所述透明導電層形成歐姆接觸接觸；

N電極，制備于所述N電極制備區域。

8.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述半導體襯底為藍寶石襯底，所述N型層為N-GaN層，所述量子阱層為InGaN層，所述P型層為P-GaN層。

9.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述透明導電層為ITO、ATO、FTO或AZO。

10.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述反射鏡的垂直反射率大于70%。

11.根據權利要求7所述的發光二極管，其特征在于：所述反射鏡的材料為Al層、Ag層、Al層-Au層-Ni層疊層、Ag層-Au層-Ni層疊層、Al層-SiO₂層疊層或Ag層-SiO₂層疊層。