[發明專利]快閃存儲器編程及讀取的方法無效
申請號: | 201210367723.6 | 申請日: | 2012-09-28 |
公開(公告)號: | CN103700401A | 公開(公告)日: | 2014-04-02 |
發明(設計)人: | 游英凱;謝景星;蕭亦隆 | 申請(專利權)人: | 廣明光電股份有限公司 |
主分類號: | G11C16/06 | 分類號: | G11C16/06;G11C16/02 |
代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 11105 | 代理人: | 史新宏 |
地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 閃存 編程 讀取 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種快閃存儲器,尤其涉及快閃存儲器存儲最后編程邏輯頁數,作為判斷編程次數,以執行讀取的方法。
背景技術
由于非易失性的快閃存儲器(Flash?Memory),不需要電力維持數據的存儲,不僅具有較快的清除(Erase)、編程(Program)及讀取(read)的速度,體積小且存儲密度高,已成為主要數據的存儲裝置。
快閃存儲器一般依據一存儲器單元(Cell)可存儲的位數據(Bit),分為單層單元(Single?Level?Cell,簡稱SLC)、多層單元(Multi?Level?Cell,簡稱MLC)、三層單元(Triple?Level?Cell,簡稱TLC)及四層單元(Quad?Level?Cell,簡稱QLC)等快閃存儲器。其中單層單元(SLC)可存儲一位數據,多層單元(MLC)可存儲二位數據,三層單元(TLC)可存儲三位數據,而四層單元(QLC)可存儲四位數據。
如圖1所示,為現有技術MLC快閃存儲器編程的電壓分布。以MLC快閃存儲器為例,MLC快閃存儲器分割成多個存儲器區塊(Block),用以存儲數據。每一存儲器區塊包含多列的多層單元10構成256個邏輯頁,每個邏輯頁具有相對應的邏輯地址,以利數據存取控制。其中每一多層單元10包含一下層邏輯頁(Lower?page)L及一上層邏輯頁(Higher?page)H,每一邏輯頁包含數個存儲器電路單位11,利用存儲器電路單位11負載不同的電壓,區分出所代表的不同數字信號。多層單元10后另設一單層單元F,包含二個標志電路單位20,利用標志電路單位20負載不同的電壓,可區分出代表的一次編程或二次編程,以作為標示多層單元10編程次數的標志(Flag)。
MLC快閃存儲器編程時,對多層單元10的存儲器電路單位11采用逐次增加電壓的方式,以避免過大的電壓破壞存儲器。未編程前,多層單元10的存儲器電路單位11的電壓維持在清除電壓,而單層單元F的標志電路單位20則維持在代表一次編程標志電壓21。一次編程時,對多層單元10的下層邏輯頁L增加預設的電壓,將存儲器電路單位11形成不同負載的清除電壓12與一次編程電壓13,而標志電路單位20則仍在代表一次編程標志電壓21。讀取時,先利用預設的標志臨界電壓Vf,判斷標志電路單位20在一次編程標志電壓21的標志,多層單元10僅為一次編程,再利用預設的一次編程臨界電壓V1分辨下層邏輯頁L的存儲器電路單位11的電壓,即可區分出代表數字信號的[1]或[0],而讀取存儲的數據。
MLC快閃存儲器二次編程時,對多層單元10的上層邏輯頁H增加預設的電壓,將上層邏輯頁H的存儲器電路單位11形成四種不同負載的二次編程電壓14、15、16及17,并將標志電路單位20改變至代表二次編程標志電壓22。讀取時,先利用預設的標志臨界電壓Vf,判斷標志電路單位20在二次編程標志電壓22的標志,多層單元10已經二次編程,可利用預設的二次編程臨界電壓V2、V3及V4分辨上層邏輯頁H的存儲器電路單位11的電壓,即可區分出代表數字信號的[11]或[10]或[01]或[00],而讀取存儲的數據。
但是MLC快閃存儲器編程次數的標志電壓,常受編程增加電壓的影響,無法正確判讀編程次數,以致選取錯誤的臨界電壓,導致讀取失敗。因此,另有現有技術美國專利US8107291,揭露在讀取快閃存儲器的存儲器區塊時,利用預先存儲的無用數據(Dummy?Data),先將所有的存儲器單元完成二次編程,就可不用判斷編程標志電壓,直接利用預設的二次編程臨界電壓讀取存儲器區塊,而可刪除編程次數標志的功能及單層單元F的構成,達到增加存儲容量的目的。
然而,前述專利案讀取快閃存儲器時,需耗費時間將所有的存儲器單元完成二次編程,再讀取及處理無用數據,不僅降低讀取快閃存儲器的效率,且需空出快閃存儲器的記憶空間,存儲大量的無用數據,而影響存儲容量。因此,快閃存儲器在編程及讀取方法上,仍有問題亟待解決。
發明內容
本發明的目的在提供一種快閃存儲器編程及讀取的方法,通過存儲存儲器區塊最后編程邏輯頁數,配合預設的邏輯頁分配表,以正確判斷編程次數。
本發明另一目的在提供一種快閃存儲器編程及讀取的方法,利用判斷編程次數,直接選擇正確臨界電壓,讀取編程的存儲器單元,以提高讀取效率。
本發明再一目的在提供一種快閃存儲器編程及讀取的方法,可刪除編程次數標志的功能及單層單元的構成,以簡化編程及讀取程序。
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